MTx800 MFx800 MT800, moduli tiristor/diodo, raffreddamento ad acqua

raffreddamento ad acqua

MTx800 MFx800 MT800,Moduli Thyristor/Diode,Raffreddamento a acqua

800A,600V~1800V, 414S3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTx800 MFx800 MT800

Appurtenance:

b) la brochure del prodotto:Scarica

Introduzione
scheda
Schema del circuito equivalente

Introduzione

breve introduzione

Modulo tiristore/diodoe, MTx800 MFx800 MT800,800a),raffreddamento ad acqua，Prodotto da TECHSEM.

breve introduzione

Modulo tiristore/diodoe, MTx800 MFx800 mt800，800a),raffreddamento ad acqua，Prodotto da TECHSEM.

VDRM VRRM,	Tipo e contorno
800 V	MT2 sistema di controllo	MFx800-08-414S3
1000 V	MT3 sistema di controllo	MFx800-10-414S3
1200 V	MT2 sistema di controllo	MFx800-12-414S3
1400V	MT2 sistema di controllo	MFx800-14-414S3
1600V	MT3 sistema di controllo	MFx800-16-414S3
1800V	MT3 sistema di controllo	MFx800-18-414S3
1800V	MT4 di cui all'articolo 4

MTx significa qualsiasi tipo diMTC, MTA, mtk

MFx significa qualsiasi tipo diMFC, MFA, MFK

caratteristiche

Base di montaggio isolata 3000V~
Tecnologia di contatto a pressione con
Maggiore capacità di cicli di potenza
Risparmio di spazio e peso

applicazioni tipiche

Motori a corrente alternata
Vari rettificatori
Fornitura di corrente continua per inversione PWM

Il simbolo	caratteristica	Condizioni di prova	Tj(℃)	valore			unità
Il simbolo	caratteristica	Condizioni di prova	Tj(℃)	Min	tipo	- Max	unità
IT(AV)	Corrente media in stato di accensione	180。Mezza onda senoide 50 Hz raffreddato a lato singolo, Tc=55°C	125			800	a)
IT(RMS)	Corrente di stato RMS	180°mezza onda sinusoidale 50Hz	125			1256	a)
Idrm Irrm	Corrente di picco ripetitiva	a VDRM a VRRM	125			120	- Mamma!
ITSM	Corrente di sovratensione in stato di accensione	10 ms di mezza onda sinusoidale, VR=0V	125			16	ca
I2t	I2t per coordinazione fusibile	10 ms di mezza onda sinusoidale, VR=0V	125			1280	a)²s* 10³
VTO	Voltaggio di soglia		135			0.80	v
rt	Resistenza di pendenza in stato di accensione		135			0.26	mΩ
VTM	Tensione di picco in stato di accensione	ITM= 1500A	25			1.45	v
dv/dt	Tasso critico di aumento della tensione in stato di off	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento	Gate source 1.5A tr ≤0.5μs Ripetitivo	125			200	A/μs
tgd	Tempo di ritardo controllato da un cancello	IG= 1A dig/dt= 1A/μs	25			4	μs
Tq	Tempo di spegnimento commutato da circuito	ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs,di/dt=-10A/μs	125		250		μs
IGT	Corrente di attivazione del gate	VA= 12V, IA= 1A	25	30		250	- Mamma!
Vgt	Tensione di attivazione del gate			0.8		3.0	v
IH	Corrente di mantenimento			10		300	- Mamma!
Il	Corrente di aggancio	IA=1A IG=1A dig/dt=1A/μs tg=30us	25			1500	- Mamma!
VGD	Tensione di gate non attivata	VDM=67%VDRM	125			0.25	v
IGD	Corrente di porta non innescata	VDM=67%VDRM	125			5	- Mamma!
Rth(j-c)	Resistenza termica Giunzione a custodia	Raffreddato da un lato per chip				0.065	℃/W
Rth(c-h)	Resistenza termica case a dissipatore	Raffreddato da un lato per chip				0.020	℃/W
VISO	Tensione di isolamento	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		3000			v
Fm	Coppia di collegamento terminale (M10)			10.0		12.0	N·m
Fm	Coppia di montaggio (M6)			4.5		6.0	N·m
Tvj	temperatura di giunzione			-40		125	°C
TSTG	Temperatura di immagazzinamento			-40		125	°C
wt	peso				2100		g
scheda	414S3