MTx800 MFx800 MT800,Moduli di Tirostori/Diodi,Raffreddamento ad Aria

VRRM,VDRM

Tipo e contorno

2000 V

MTx800-20-410F3

MFx800-20-410F3

2200V

MTx800-22-410F3

MFx800-22-410F3

2500 V

MTx800-25-410F3

MFx800-25-410F3

2500 V

MT800-25-410F3G

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj( ℃ )

valore

unità

min

TIPO

max

IT(AV)

Corrente media in stato di accensione

180。mezza onda sinusoidale 50Hz

Raffreddato da un solo lato, TC=70 ℃

125

800

A

IT(RMS)

Corrente di stato RMS

1256

A

Idrm Irrm

Corrente di picco ripetitiva

a VDRM a VRRM

125

50

mA

ITSM

Corrente di sovratensione in stato di accensione

VR=60%VRRM,t=10ms mezzo seno,

125

16

kA

Io ²t

I2t per coordinazione fusibile

125

1280

10³A ²s

VTO

Voltaggio di soglia

125

0.85

V

rT

Resistenza di pendenza in stato di accensione

0.30

mΩ

VTM

Tensione di picco in stato di accensione

ITM=2400A

25

2.30

V

dv/dt

Tasso critico di aumento della tensione in stato di off

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento

Gate source 1.5A

tr ≤0.5μs Ripetitivo

125

200

A/μs

IGT

Corrente di attivazione del gate

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

Vgt

Tensione di attivazione del gate

0.8

3.0

V

IH

Corrente di mantenimento

10

200

mA

IL

Corrente di aggancio

1000

mA

VGD

Tensione di gate non attivata

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

Raffreddato da un lato per chip

0.048

℃ /W

Rth(c-h)

Resistenza termica case a dissipatore

Raffreddato da un lato per chip

0.030

℃ /W

VISO

Tensione di isolamento

50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)

3000

V

FM

Torsione di connessione terminale ((M12)

12

16

N·m

Torsione di montaggio ((M8)

10

12

N·m

Tvj

temperatura di giunzione

-40

125

℃

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

125

℃

Wt

Peso

3310

g

Outline

410F3