raffreddamento ad aria

MTx800 MFx800 MT800,Moduli di Tirostori/Diodi,Raffreddamento ad Aria

800A,2000V~2500V,410F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTx800 MFx800 MT800

Introduzione
Outline
Schema del circuito equivalente

Introduzione

Breve introduzione

Tiristore/ Modulo di diodo , MTx 800 MFx 800 MT 800，800A ,aria Raffreddamento ，Prodotto da TECHSEM.

VRRM,VDRM	Tipo e contorno
600V	MTx800-06-410F3	MFx800-06-410F3
800V	MTx800-08-410F3	MFx800-08-410F3
1000V	MTx800-10-410F3	MFx800-10-410F3
1200V	MTx800-12-410F3	MFx800-12-410F3
1400V	MTx800-14-410F3	MFx800-14-410F3
1800V	MTx800-16-410F3	MFx800-16-410F3
1800V	MTx800-18-410F3	MFx800-18-410F3
1800V	MT800-18-410F3G

MTx significa qualsiasi tipo di MTC, MTA, MTK

MFx sta per qualsiasi tipo e di MFC, MFA, MFK

Caratteristiche

Base di montaggio isolata 3000V~
Tecnologia di contatto a pressione con
Maggiore capacità di cicli di potenza
Risparmio di spazio e peso

Applicazioni tipiche

Motori a corrente alternata
Vari rettificatori
Fornitura di corrente continua per inversione PWM

Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj( ℃ )	valore			unità
Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj( ℃ )	min	TIPO	max	unità
IT(AV)	Corrente media in stato di accensione	180° mezza onda sinusoidale 50Hz Raffreddato da un solo lato, TC=70 ℃	125			800	A
IT(RMS)	Corrente di stato RMS		125			1256	A
Idrm Irrm	Corrente di picco ripetitiva	a VDRM a VRRM	125			45	mA
ITSM	Corrente di sovratensione in stato di accensione	VR=60%VRRM,t=10ms mezzo seno,	125			22.0	kA
I2t	I2t per coordinazione fusibile	VR=60%VRRM,t=10ms mezzo seno,	125			2420	103A2s
VTO	Voltaggio di soglia		125			0.80	V
rT	Resistenza di pendenza in stato di accensione		125			0.24	mΩ
VTM	Tensione di picco in stato di accensione	ITM=2400A	25			1.68	V
dv/dt	Tasso critico di aumento della tensione in stato di off	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento	Gate source 1.5A tr ≤0.5μs Ripetitivo	125			200	A/μs
IGT	Corrente di attivazione del gate	VA=12V, IA=1A	25	30		200	mA
Vgt	Tensione di attivazione del gate			0.8		3.0	V
IH	Corrente di mantenimento			10		200	mA
IL	Corrente di aggancio					1500	mA
VGD	Tensione di gate non attivata	VDM=67%VDRM	125			0.20	V
Rth(j-c)	Resistenza termica Giunzione a custodia	Raffreddato da un lato per chip				0.048	℃ )/W
Rth(c-h)	Resistenza termica case a dissipatore	Raffreddato da un lato per chip				0.020	℃ )/W
VISO	Tensione di isolamento	50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)		3000			V
FM	Torsione di connessione terminale ((M12)			12.0		16.0	N·m
FM	Torsione di montaggio ((M8)			10.0		12.0	N·m
Tvj	temperatura di giunzione			-40		125	℃ )
TSTG	Temperatura di immagazzinamento			-40		125	℃ )
Wt	Peso				3310		g
Outline	410F3