MTx600 MFx600 MT600, moduli tiristor/diodo, raffreddamento ad acqua

raffreddamento ad acqua

MTx600 MFx600 MT600, Moduli di Thyristor/Diode, Raffreddamento ad Acqua

600A,600V~1800V,406F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTx600 MFx600 MT600

Appurtenance:

b) la brochure del prodotto:Scarica

Introduzione
scheda
Schema del circuito equivalente

Introduzione

breve introduzione

Tiristore/Modulo di diodo, MTx600 MFx600 mt600，600a),raffreddamento ad acqua，Prodotto da TECHSEM.

vRRMVDRM	Tipo & scheda
600 V	MT2 sistema di controllo	MFx600-06-406F3
800 V	MT2 sistema di controllo	MFx600-08-406F3
1000 V	MT2 di cui all'articolo 2	MFx600-10-406F3
1200 V	MT2 di cui all'articolo 2	MFx600-12-406F3
1400V	MT2 di cui all'articolo 2	MFx600-14-406F3
1600V	MTx600-16-406F3	MFx600-16-406F3
1800V	MT2 di cui all'articolo 2	MFx600-18-406F3
1800V	MT6203F3G

MTx significa qualsiasi tipo diMTC, MTA, mtk

MFx significa qualsiasi tipo diMFC, MFA, MFK

caratteristiche

Base di montaggio isolata 3000V~
Tecnologia di contatto a pressione con
Maggiore capacità di cicli di potenza
Risparmio di spazio e peso

applicazioni tipiche

Motori a corrente alternata
Vari rettificatori
Fornitura di corrente continua per inversione PWM

Il simbolo	caratteristica	Condizioni di prova	Tj(°C)	valore			unità
Il simbolo	caratteristica	Condizioni di prova	Tj(°C)	Min	tipo	- Max	unità
IT(AV)	Corrente media in stato di accensione	180°mezza onda sinusoidale 50Hz Conducibile a raffreddamento a lato singolo, THS=55。c	125			600	a)
IT(RMS)	Corrente di stato RMS		125			942	a)
Idrm Irrm	Corrente di picco ripetitiva	a VDRM a VRRM	125			45	- Mamma!
ITSM	Corrente di sovratensione in stato di accensione	VR=60%VRRM,t=10ms mezzo seno	125			16.0	ca
I2t	I2t per coordinazione fusibile	VR=60%VRRM,t=10ms mezzo seno	125			1280	10³a)²s
VTO	Voltaggio di soglia		125			0.85	v
rt	Resistenza di pendenza in stato di accensione		125			0.30	mΩ
VTM	Tensione di picco in stato di accensione	ITM=1800A	25			1.90	v
dv/dt	Tasso critico di aumento della tensione in stato di off	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento	Gate source 1.5A tr ≤0.5μs Ripetitivo	125			200	A/μs
IGT	Corrente di attivazione del gate	VA=12V, IA=1A	25	30		200	- Mamma!
Vgt	Tensione di attivazione del gate			0.8		3.0	v
IH	Corrente di mantenimento			10		200	- Mamma!
Il	Corrente di aggancio					1000	- Mamma!
VGD	Tensione di gate non attivata	VDM=67%VDRM	125			0.20	v
Rth(j-c)	Resistenza termica Giunzione a custodia	Raffreddato da un lato per chip				0.085	°C/W
Rth(c-h)	Resistenza termica case a dissipatore	Raffreddato da un lato per chip				0.040	°C/W
VISO	Tensione di isolamento	50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)		3000			v
Fm	Torsione di connessione terminale ((M12)			12		14	N·m
Fm	Coppia di montaggio (M6)			4.5		6	N·m
Tvj	temperatura di giunzione			-40		125	°C
TSTG	Temperatura di immagazzinamento			-40		125	°C
wt	peso				1580		g
scheda	406F3