MTx600 MFx600 MT600, moduli tiristor/diodo, raffreddamento ad acqua

raffreddamento ad acqua

MTx600 MFx600 MT600, Moduli di Thyristor/Diode, Raffreddamento ad Acqua

600A,2600V~3600V,411F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTx600 MFx600 MT600

Appurtenance:

b) la brochure del prodotto:Scarica

Introduzione
scheda
Schema del circuito equivalente

Introduzione

breve introduzione

Tiristore/Modulo di diodo, MTx600 MFx600 mt600，600a),raffreddamento ad acqua，Prodotto da TECHSEM.

VRRM,VDRM	Tipo e contorno
2600 V	MT2 di cui all'articolo 4	MT2 di cui all'articolo 4
di potenza superiore a 300 V	MT2 di cui all'articolo 2	MT2 di cui all'articolo 2
3200V	MTx600-32-411F3	MT2 sistema di controllo
3400V	MTx600-34-411F3	MT3 sistema di controllo
di potenza superiore a 300 V	MTx600-36-411F3	MFx6- Non è vero.34-411F3
di potenza superiore a 300 V	MTx600-36-411F3	MFx6- Non è vero.34-411F3

MTx significa qualsiasi tipo diMTC, MTA, mtk

MFx significa qualsiasi tipo diMFC, MFA, MFK

caratteristiche

Base di montaggio isolata 3000V~
Tecnologia di contatto a pressione con
Maggiore capacità di cicli di potenza
Risparmio di spazio e peso

applicazioni tipiche

Motori a corrente alternata
Vari rettificatori
Fornitura di corrente continua per inversione PWM

Il simbolo	caratteristica	Condizioni di prova	Tj(°C)	valore			unità
Il simbolo	caratteristica	Condizioni di prova	Tj(°C)	Min	tipo	- Max	unità
IT(AV)	Corrente media in stato di accensione	180°mezza onda sinusoidale 50Hz Conducibile a raffreddamento a lato singolo, THS=55°C	125			600	a)
IT(RMS)	Corrente di stato RMS		125			942	a)
Idrm Irrm	Corrente di picco ripetitiva	a VDRM a VRRM	125			55	- Mamma!
ITSM	Corrente di sovratensione in stato di accensione	VR=60%VRRM,t= 10ms mezzo seno	125			14.0	ca
I²t	I2t per coordinazione fusibile	VR=60%VRRM,t= 10ms mezzo seno	125			980	10³a)²s
VTO	Voltaggio di soglia		125			1.02	v
rt	Resistenza di pendenza in stato di accensione		125			0.70	mΩ
VTM	Tensione di picco in stato di accensione	ITM= 1800A	25			2.95	v
dv/dt	Tasso critico di aumento della tensione in stato di off	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento	Gate source 1.5A tr ≤0.5μs Ripetitivo	125			200	A/μs
IGT	Corrente di attivazione del gate	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	- Mamma!
Vgt	Tensione di attivazione del gate			0.8		3.0	v
IH	Corrente di mantenimento			10		200	- Mamma!
Il	Corrente di aggancio					1000	- Mamma!
VGD	Tensione di gate non attivata	VDM=67%VDRM	125			0.20	v
Rth(j-c)	Resistenza termica Giunzione a custodia	Raffreddato da un lato per chip				0.054	°C/W
Rth(c-h)	Resistenza termica case a dissipatore	Raffreddato da un lato per chip				0.024	°C/W
VISO	Tensione di isolamento	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		4000			v
Fm	Torsione di connessione terminale ((M12)			12		16	N·m
Fm	Torsione di montaggio ((M8)			10		12	N·m
Tvj	temperatura di giunzione			-40		125	°C
TSTG	Temperatura di immagazzinamento			-40		125	°C
wt	peso				3230		g
scheda	411F3