MTx1000 MFx1000 MT1000, moduli tiristor/diodo, raffreddamento ad acqua

raffreddamento ad acqua

MTx1000 MFx1000 MT1000,Moduli Thyristor/Diode,Raffreddamento a acqua

1000A,600V~1800V, 411F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTx1000 MFx1000 MT1000

Appurtenance:

b) la brochure del prodotto:Scarica

Introduzione
scheda
Schema del circuito equivalente

Introduzione

breve introduzione

Modulo tiristore/diodoe, MTx1000 MFx1000 MT1，1000a),raffreddamento ad acqua，Prodotto da TECHSEM.

VRRM,VDRM

Tipo e contorno

600 V

800 V

1000 V

1200 V

1400V

1600V

1800V

MT3 MT3 MT4 MT4 MT4 MT4 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5

MFx1000-06-411F3

MFx1000-08-411F3

MFx1000-10-411F3

MFx1000-12-411F3

MFx1000-14-411F3

MFx1000-16-411F3

MFx1000-18-411F3

MTx significa qualsiasi tipo di MTC, MTA, MTK

MFx significa qualsiasi tipo di MFC, MFA, MFK

caratteristiche

Base di montaggio isolata 3000V~
Tecnologia di contatto a pressione con
Maggiore capacità di cicli di potenza
Risparmio di spazio e peso

applicazioni tipiche

Motori a corrente alternata
Vari rettificatori
Fornitura di corrente continua per inversione PWM

Il simbolo	caratteristica	Condizioni di prova	Tj(°C)	valore			unità
Il simbolo	caratteristica	Condizioni di prova	Tj(°C)	Min	tipo	- Max	unità
IT(AV)	Corrente media in stato di accensione	180°mezza onda sinusoidale 50Hz Conducibile a raffreddamento a lato singolo, THS=55°C	125			1000	a)
IT(RMS)	Corrente di stato RMS		125			1570	a)
Idrm Irrm	Corrente di picco ripetitiva	a VDRM a VRRM	125			55	- Mamma!
ITSM	Corrente di sovratensione in stato di accensione	VR=60%VRRM, t=10ms mezzo seno	125			26.0	ca
I2t	I2t per coordinazione fusibile	VR=60%VRRM, t=10ms mezzo seno	125			3380	10³a)²s
VTO	Voltaggio di soglia		125			0.81	v
rt	Resistenza di pendenza in stato di accensione		125			0.21	mΩ
VTM	Tensione di picco in stato di accensione	ITM=3000A	25			2.05	v
dv/dt	Tasso critico di aumento della tensione in stato di off	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento	Gate source 1.5A tr ≤ 0,5 μs Ripetitiva	125			200	A/μs
IGT	Corrente di attivazione del gate	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	- Mamma!
Vgt	Tensione di attivazione del gate			0.8		3.0	v
IH	Corrente di mantenimento			10		200	- Mamma!
Il	Corrente di aggancio					1000	- Mamma!
VGD	Tensione di gate non attivata	VDM=67%VDRM	125			0.20	v
Rth(j-c)	Resistenza termica Giunzione a custodia	Frigoriferi a lato singolo per chip				0.048	°C/W
Rth(c-h)	Resistenza termica case a dissipatore	Frigoriferi a lato singolo per chip				0.018	°C/W
VISO	Tensione di isolamento	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		3000			v
Fm	Torsione di connessione terminale ((M12)			12		16	N·m
Fm	Torsione di montaggio ((M8)			10		12	N·m
Tvj	temperatura di giunzione			-40		125	°C
TSTG	Temperatura di immagazzinamento			-40		125	°C
wt	peso				3230		g
scheda	411F3