1000A,2000V~2500V,411F3
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breve introduzione
Modulo tiristore/diodoe, MTx1000 MFx1000 MT1，1000a),raffreddamento ad acqua，Prodotto da TECHSEM.
VRRM,VDRM | Tipo e contorno | |
2000 V | MT2 sistema di controllo | MFx1000-20-411F3 |
2200v | MT2 di cui all'articolo 4 | MFx1000-22-411F3 |
2500 V | MT2 sistema di controllo | MFx1000-25-411F3 |
2500 V | MT3cfr. |
|
caratteristiche
applicazioni tipiche
Il simbolo |
caratteristica |
Condizioni di prova | Tj(°C) | valore |
unità | ||
Min | tipo | - Max | |||||
IT(AV) | Corrente media in stato di accensione | 180。mezza onda sinusoidale 50Hz Conducibile a raffreddamento a lato singolo, THS=55°C |
125 |
|
| 1000 | a) |
IT(RMS) | Corrente di stato RMS |
|
| 1570 | a) | ||
Idrm Irrm | Corrente di picco ripetitiva | a VDRM a VRRM | 125 |
|
| 50 | - Mamma! |
ITSM | Corrente di sovratensione in stato di accensione | VR=60%VRRM, t=10ms mezzo seno | 125 |
|
| 18.0 | ca |
I2t | I2t per coordinazione fusibile | 125 |
|
| 1620 | 103a)2s | |
VTO | Voltaggio di soglia |
|
125 |
|
| 0.85 | v |
rt | Resistenza di pendenza in stato di accensione |
|
| 0.24 | mΩ | ||
VTM | Tensione di picco in stato di accensione | ITM=3000A | 25 |
|
| 2.20 | v |
dv/dt | Tasso critico di aumento della tensione in stato di off | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs |
di/dt | Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento | Gate source 1.5A tr ≤ 0,5 μs Ripetitiva | 125 |
|
| 200 | A/μs |
IGT | Corrente di attivazione del gate |
VA= 12V, IA= 1A |
25 | 30 |
| 200 | - Mamma! |
Vgt | Tensione di attivazione del gate | 0.8 |
| 3.0 | v | ||
IH | Corrente di mantenimento | 10 |
| 200 | - Mamma! | ||
Il | Corrente di aggancio |
|
| 1000 | - Mamma! | ||
VGD | Tensione di gate non attivata | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.20 | v |
Rth(j-c) | Resistenza termica Giunzione a custodia | Frigoriferi a lato singolo per chip |
|
|
| 0.048 | 。C/W |
Rth(c-h) | Resistenza termica case a dissipatore | Frigoriferi a lato singolo per chip |
|
|
| 0.024 | 。C/W |
VISO | Tensione di isolamento | 50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
| 3000 |
|
| v |
Fm | Torsione di connessione terminale ((M12) |
|
| 12 |
| 16 | N·m |
Torsione di montaggio ((M8) |
|
| 10 |
| 12 | N·m | |
Tvj | temperatura di giunzione |
|
| -40 |
| 125 | °C |
TSTG | Temperatura di immagazzinamento |
|
| -40 |
| 125 | °C |
wt | peso |
|
|
| 3230 |
| g |
scheda | 411F3 | ||||||
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