Moduli tiristore (tipo non isolato)

MTG200,MTY200,Moduli tiristor ((Tipo non isolato), TECHSEM

800V~1800V,213F4

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTG200/MTY200

Appurtenance:

Brochure del prodotto:SCARICA

Introduzione
Outline
Schema del circuito equivalente

Introduzione

Breve introduzione

Moduli tiristore (tipo non isolato) ,MTG200 ,MTY200 ,prodotto da TECHSEM.

VRRM,VDRM

Tipo e contorno

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MTx200-08-213F4 MTx200-10-213F4 MTx200-12-213F4 MTx200-14-213F4 MTx200-16-213F4 MTx200-18-213F4

MFx200-08-213F4 MFx200-10-213F4 MFx200-12-213F4 MFx200-14-213F4 MFx200-16-213F4 MFx200-18-213F4

MTx significa qualsiasi tipo di MTG, MTY

MFx significa qualsiasi tipo di MFG, MFY

Caratteristiche ：

Non isolato. Montaggio base come terminale dell'anodo o del cstodo
Tecnologia di contatto a pressione con Aumento del ciclo di potenza capacità
Tensione di stato di funzionamento bassa d corde

Applicazioni tipiche ：

Fornitore di alimentazione per saldatura
Vari alimentatori DC
Fornitura di corrente continua per inversione PWM

Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj( ℃ )	Valore			Unità
Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj( ℃ )	Min	TIPO	Max	Unità
IT(AV)	Corrente media in stato di accensione	180° mezza onda sinusoidale 50Hz Cambio di temperatura ℃	125			200	A
IT(RMS)	Corrente di stato RMS	180° mezza onda sinusoidale 50Hz Cambio di temperatura ℃	125			314	A
Idrm Irrm	Corrente di picco ripetitiva	a VDRM a VRRM	125			20	mA
ITSM	Corrente di sovratensione in stato di accensione	VR=60%VRRM, t=10ms mezzo seno	125			5.2	kA
I2t	I2t per coordinazione fusibile	VR=60%VRRM, t=10ms mezzo seno	125			135	10³A ²s
VTO	Voltaggio di soglia		125			0.80	V
rT	Resistenza di pendenza in stato di accensione		125			1.15	mΩ
VTM	Tensione di picco in stato di accensione	ITM=600A	25			1.62	V
dv/dt	Tasso critico di aumento della tensione in stato di off	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento	Gate source 1.5A tr ≤0.5μs Ripetitivo	125			100	A/μs
IGT	Corrente di attivazione del gate	VA=12V, IA=1A	25	30		150	mA
Vgt	Tensione di attivazione del gate			0.8		2.5	V
IH	Corrente di mantenimento			10		180	mA
IL	Corrente di aggancio					1000	mA
VGD	Tensione di gate non attivata	VDM=67%VDRM	125			0.2	V
Rth(j-c)	Resistenza termica Giunzione a custodia	A 180 。seno, raffreddamento a lato singolo per pezzo				0.13	℃ /W
Rth(c-h)	Resistenza termica case a dissipatore	A 180 ° seno, raffreddamento a lato singolo per pezzo				0.10	℃ /W
FM	Coppia di collegamento terminale (M6)			4.5		6.0	N·m
FM	Coppia di montaggio (M6)			4.5		6.0	N·m
Tvj	Temperatura di giunzione			-40		125	℃
TSTG	Temperatura di immagazzinamento			-40		125	℃
Wt	Peso				280		g
Outline	213F4