Moduli tiristore (tipo non isolato)

MTG150,MTY150,Moduli tiristori (Tipo non isolato),TECHSEM

800V~1800V,213F4

Brand:

TECHSEM

Spu:

MTG150/MTY150

Appurtenance:

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Introduzione
Outline
Schema del circuito equivalente

Introduzione

Breve introduzione

Moduli tiristore (tipo non isolato) ,MTG150 ,MTY150 ,Prodotto da TECHSEM.

VRRM,VDRM

Tipo e contorno

800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V

MT3 MT4 MT4 MT4 MT4 MT4 MT4 MT4 MT4 MT4 MT4 MT4 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5 MT5

MFx150-08-213F4 MFx150-10-213F4 MFx150-12-213F4 MFx150-14-213F4 MFx150-16-213F4 MFx150-18-213F4

MTx significa qualsiasi t - tipo di MTG, MTY

MFx sta per qualsiasi tipo di di MFG, Importo del capitale

Caratteristiche ：

Non isolato. Montaggio base come terminale dell'anodo o del cstodo
Tecnologia di contatto a pressione con aumento del ciclo di potenza capacità
tensione di stato di funzionamento bassa d corde

Applicazioni tipiche ：

Fornitore di alimentazione per saldatura
Vari alimentatori DC
Fornitura di corrente continua per inversione PWM

Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj( ℃ )	valore			unità
Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj( ℃ )	min	TIPO	max	unità
IT(AV)	Corrente media in stato di accensione	180。mezza onda sinusoidale 50Hz Cambio di temperatura ℃	125			150	A
IT(RMS)	Corrente di stato RMS	180。mezza onda sinusoidale 50Hz Cambio di temperatura ℃	125			236	A
Idrm Irrm	Corrente di picco ripetitiva	a VDRM a VRRM	125			12	mA
ITSM	Corrente di sovratensione in stato di accensione	VR=60%VRRM, t=10ms mezzo seno	125			3.9	kA
I2t	I2t per coordinazione fusibile	VR=60%VRRM, t=10ms mezzo seno	125			76	10³A ²s
VTO	Voltaggio di soglia		125			0.80	V
rT	Resistenza di pendenza in stato di accensione		125			1.74	mΩ
VTM	Tensione di picco in stato di accensione	ITM=450A	25			1.67	V
dv/dt	Tasso critico di aumento della tensione in stato di off	VDM=67%VDRM	125			800	V/μs
di/dt	Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento	Gate source 1.5A tr ≤0.5μs Ripetitivo	125			100	A/μs
IGT	Corrente di attivazione del gate	VA=12V, IA=1A	25	30		100	mA
Vgt	Tensione di attivazione del gate			0.8		2.5	V
IH	Corrente di mantenimento			10		180	mA
IL	Corrente di aggancio					1000	mA
VGD	Tensione di gate non attivata	VDM=67%VDRM	125			0.20	V
Rth(j-c)	Resistenza termica Giunzione a custodia	A 180 ° seno, raffreddamento a lato singolo per pezzo				0.16	℃ /W
Rth(c-h)	Resistenza termica case a dissipatore	A 180 ° seno, raffreddamento a lato singolo per pezzo				0.10	℃ /W
FM	Coppia di collegamento terminale (M6)			4.5		6.0	N·m
FM	Coppia di montaggio (M6)			4.5		6.0	N·m
Tvj	temperatura di giunzione			-40		125	℃
TSTG	Temperatura di immagazzinamento			-40		125	℃
Wt	Peso				280		g
Outline	213F4