MTC200,Modulo rettificatore a tiristore di saldatura,Raffreddamento ad aria

VDRM, VRRM

Tipo e contorno

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MTC200-06-229H3/229H3B

MTC200-08-229H3/229H3B

MTC200-10-229H3/229H3B

MTC200-12-229H3/229H3B

MTC200-14-229H3/229H3B

MTC200-16-229H3/229H3B

MTC200-18-229H3/229H3B

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj( ℃ )

Valore

Unità

Min

TIPO

Max

IT(AV)

Corrente media in stato di accensione

180° onda sinusoidale mezza 50Hz Raffreddato da un lato, Tc=85 ℃

125

200

A

IT(RMS)

Corrente di stato RMS

125

314

A

Idrm Irrm

Corrente di picco ripetitiva

a VDRM a VRRM

125

40

mA

ITSM

Corrente di sovratensione in stato di accensione

onda sinusoidale mezza 10ms VR=60%VRRM

125

4.0

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

80

A ²s*10 ³

VTO

Voltaggio di soglia

125

0.70

V

rT

Resistenza di pendenza in stato di accensione

1.11

mΩ

VTM

Tensione di picco in stato di accensione

ITM=600A

25

1.80

V

dv/dt

Tasso critico di aumento della tensione in stato di off

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento

Gate source 1.5A

tr ≤0.5μs Ripetitivo

125

200

A/μs

IGT

Corrente di attivazione del gate

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Tensione di attivazione del gate

0.6

2.5

V

IH

Corrente di mantenimento

10

250

mA

IL

Corrente di aggancio

1000

mA

VGD

Tensione di gate non attivata

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

Raffreddato da un lato per chip

0.16

℃ /W

Rth(c-h)

Resistenza termica case a dissipatore

Raffreddato da un lato per chip

0.08

℃ /W

VISO

Tensione di isolamento

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Coppia di collegamento terminale (M6)

2.5

4.0

N·m

Coppia di montaggio (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

Temperatura di giunzione

-40

125

℃

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

125

℃

Wt

Peso

165

g

Outline

229H3 、229H3B