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Breve introduzione
VRRM | Tipo e contorno |
1200V | MRC100-12-224H3 |
Caratteristiche :
Applicazioni tipiche
Il simbolo |
Caratteristica |
Condizioni di prova | Tj( ℃ ) | valore |
unità | ||
min | Tipo | max | |||||
IF(AV) | Corrente media diretta | TC=75 ℃ , Per diodo |
150 |
|
| 100 | A |
TC=85 ℃ , 20KHz, Per modulo |
|
| 75 | A | |||
IF(RMS) | Corrente diretta RMS | TC=75 ℃ , Per diodo |
|
| 150 | A | |
IRRM | Corrente di picco ripetitiva | a VRRM | 125 |
|
| 10 | mA |
IFSM | Corrente di picco in avanti | VR=0V, tp=10ms | 45 |
|
| 1100 |
A |
VR=0V,tp=8.3ms | 45 |
|
| 1200 | |||
Io 2t | Io 2t per coordinazione fusibile | VR=0V, tp=10ms | 45 |
|
| 6050 | 103A 2s |
VR=0V,tp=8.3ms | 45 |
|
| 7200 | |||
PD | Dissipazione di Potenza Massima |
|
|
| 280 |
| W |
VFM | Tensione di picco in avanti |
IFM= 100A | 25 |
| 1.58 | 1.80 |
V |
125 |
| 1.35 |
| ||||
trr | Tempo di recupero inverso | I F= 1A, diF/dt=-200A/μs, VR=30V | 25 |
| 90 |
| NS |
trr | Tempo di recupero inverso |
VR=600V, IF=100A, diF/dt=-200A/μs |
25 |
| 160 |
| NS |
IRM | Corrente inversa |
| 10 |
| A | ||
trr | Tempo di recupero inverso |
125 |
| 400 |
| NS | |
IRM | Corrente inversa |
| 21 |
| A | ||
Rth(j-c) | Resistenza termica Giunzione a custodia | A 1800 seno. Raffreddato da un lato per chip |
|
|
| 0.40 | ℃ /W |
VISO | Tensione di isolamento | 50Hz,R.M.S,t= 1min |
| 3000 |
|
| V |
FM | Coppia di collegamento terminale (M5) |
|
| 2.55 |
| 3.45 | N·m |
Coppia di montaggio (M6) |
|
| 4.25 |
| 5.75 | N·m | |
Tvj | temperatura di giunzione |
|
| -40 |
| 150 | ℃ |
TSTG | Temperatura di immagazzinamento |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
Wt | Peso |
|
|
| 100 |
| g |
Outline | 224H3 |
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