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Moduli di tiristore a spegnimento rapido

Moduli di tiristore a spegnimento rapido

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MK(H) x400 MK400,moduli tiristor a spegnimento rapido, raffreddamento dell'aria

400A,600V~1800V,416F3

Brand:
TECHSEM
Spu:
MK(H)x400 MK400
Appurtenance:

Brochure del prodotto:Scarica

  • Introduzione
  • Outline
  • Schema del circuito equivalente
Introduzione

Breve introduzione

Moduli di tiristore a spegnimento rapido ,MK(H)x 400 MK 400,4 00A .Aria raffreddamento, prodotto da TECHSEM .

VDRM, VRRM

Tipo e contorno

800V

MKx400-08-416F3

MHx400-08-416F3

1000V

MKx400-10-416F3

MHx400-10-416F3

1200V

MKx400-12-416F3

MHx400-12-416F3

1400V

MKx400-14-416F3

MHx400-14-416F3

1600V

MKx400-16-416F3

MHx400-16-416F3

1800V

MKx400-18-416F3

MHx400-18-416F3

Caratteristiche

  • Base di montaggio isolata 2500V~
  • Tecnologia di contatto a pressione con Maggiore capacità di cicli di potenza
  • Risparmio di spazio e peso

Applicazioni tipiche

  • Inverter
  • Calore induttivo
  • Chopper

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj( )

valore

unità

min

Tipo

max

IT(AV)

Corrente media in stato di accensione

180mezza onda sinusoidale 50Hz Raffreddato da un lato,Tc=85

125

400

A

IT(RMS)

Corrente di stato RMS

628

A

Idrm Irrm

Corrente di picco ripetitiva

a VDRM a VRRM

125

100

mA

Io TSM

Corrente di sovratensione in stato di accensione

Onda sinusoidale mezza 10ms VR=60%VRRM

125

8

kA

Io 2t

I2t per coordinazione fusibile

320

A 2s* 10 3

V To

Voltaggio di soglia

125

0.83

V

rT

Resistenza di pendenza in stato di accensione

0.72

mΩ

V TM

Tensione di picco in stato di accensione

ITM= 1200A

25

2.40

V

dv/dt

Tasso critico di aumento della tensione in stato di off

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento

Gate source 1.5A

tr ≤0.5μs Ripetitivo

125

200

A/μs

Qrr

tassa di recupero

ITM=300A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR= 100V

125

650

μC

Tq

Tempo di spegnimento commutato da circuito

ITM=300A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

15

35

μs

IGT

Corrente di attivazione del gate

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Tensione di attivazione del gate

0.8

3.0

V

IH

Corrente di mantenimento

10

200

mA

VGD

Tensione di gate non attivata

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

Raffreddato da un lato per chip

0.065

/W

Rth(c-h)

Resistenza termica case a dissipatore

Raffreddato da un lato per chip

0.023

/W

VISO

Tensione di isolamento

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

2500

V

FM

Coppia di collegamento terminale (M10)

12.0

N·m

Coppia di montaggio (M6)

6.0

N·m

Tvj

temperatura di giunzione

-40

115

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

115

Wt

Peso

1500

g

Outline

416F3

Outline

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