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Breve introduzione
Moduli di tiristore a spegnimento rapido ,MK(H)x 300 MK 3003,3 00A .Aria raffreddamento, prodotto da TECHSEM .
VRRM,VDRM | Tipo e contorno | |
600V | MKx300-06-415F3 | MHx300-06-415F3 |
800V | MKx300-08-415F3 | MHx300-08-415F3 |
1000V | MKx300-10-415F3 | MHx300-10-415F3 |
1200V | MKx300-12-415F3 | MHx300-12-415F3 |
1400V | MKx300-14-415F3 | MHx300-14-415F3 |
1600V | MKx300-16-415F3 | MHx300-16-415F3 |
1800V | MKx300-18-415F3 | MHx300-18-415F3 |
1800V | MK300-18-415F3G |
|
MKx sta per qualsiasi tipo di MKC, MKA, MKK
MHx sta per qualsiasi tipo di MHC, MHA, MHK
Caratteristiche :
Applicazioni tipiche
Il simbolo |
Caratteristica |
Condizioni di prova | Tj( ℃ ) | valore |
unità | |||
min | Tipo | max | ||||||
IT(AV) | Corrente media in stato di accensione | 180° con una lunghezza di 20 mm o più ma non superiore a 50 mm, |
TC=85 。C |
125 |
|
| 300 | A |
IT(RMS) | Corrente di stato RMS |
|
| 471 | A | |||
Idrm Irrm | Corrente di picco ripetitiva | a VDRM a VRRM | 125 |
|
| 80 | mA | |
ITSM | Corrente di sovratensione in stato di accensione | Onda sinusoidale mezza 10ms VR=60%VRRM |
125 |
|
| 7.30 | kA | |
I2t | I2t per coordinazione fusibile |
|
| 266 | 103A 2s | |||
VTO | Voltaggio di soglia |
|
125 |
|
| 1.36 | V | |
rT | Resistenza di pendenza in stato di accensione |
|
| 0.38 | mΩ | |||
VTM | Tensione di picco in stato di accensione | ITM=900A | 25 |
|
| 2.20 | V | |
dv/dt | Tasso critico di aumento della tensione in stato di off | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 800 | V/μs | |
di/dt | Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento | Gate source 1.5A tr ≤0.5μs Ripetitivo | 125 |
|
| 200 | A/μs | |
Tq | Tempo di spegnimento commutato da circuito | ITM=300A, tp=4000μs,VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs | 125 | 20 |
| 40 | μs | |
IGT | Corrente di attivazione del gate |
VA= 12V, IA= 1A |
25 | 30 |
| 200 | mA | |
Vgt | Tensione di attivazione del gate | 1.0 |
| 3.0 | V | |||
IH | Corrente di mantenimento | 20 |
| 200 | mA | |||
IL | Corrente di aggancio |
|
| 1000 | mA | |||
VGD | Tensione di gate non attivata | VDM= 67%VDRM | 125 |
|
| 0.2 | V | |
Rth(j-c) | Resistenza termica Giunzione a custodia | Raffreddato da un lato per chip |
|
|
| 0.080 | ℃ /W | |
Rth(c-h) | Resistenza termica case a dissipatore | Raffreddato da un lato per chip |
|
|
| 0.040 | ℃ /W | |
VISO | Tensione di isolamento | 50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
| 2500 |
|
| V | |
FM | Coppia di collegamento terminale (M10) |
|
| 10.0 |
| 12.0 | N·m | |
Coppia di montaggio (M6) |
|
| 4.5 |
| 6.0 | N·m | ||
Tvj | temperatura di giunzione |
|
| -40 |
| 125 | ℃ | |
TSTG | Temperatura di immagazzinamento |
|
| -40 |
| 125 | ℃ | |
Wt | Peso |
|
|
| 1260 |
| g | |
Outline | 415F3 |
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