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Moduli di tiristore a spegnimento rapido

Moduli di tiristore a spegnimento rapido

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MK(H)x300 MK300,Moduli di Tirostori a Spegnimento Rapido,Raffreddamento ad Aria

300A,600V~1800V,415F3

Brand:
TECHSEM
Spu:
MK(H) x300 MK300
Appurtenance:

Brochure del prodotto:Scarica

  • Introduzione
  • Outline
  • Schema del circuito equivalente
Introduzione

Breve introduzione

Moduli di tiristore a spegnimento rapido ,MK(H)x 300 MK 3003,3 00A .Aria raffreddamento, prodotto da TECHSEM .

VRRM,VDRM

Tipo e contorno

600V

MKx300-06-415F3

MHx300-06-415F3

800V

MKx300-08-415F3

MHx300-08-415F3

1000V

MKx300-10-415F3

MHx300-10-415F3

1200V

MKx300-12-415F3

MHx300-12-415F3

1400V

MKx300-14-415F3

MHx300-14-415F3

1600V

MKx300-16-415F3

MHx300-16-415F3

1800V

MKx300-18-415F3

MHx300-18-415F3

1800V

MK300-18-415F3G

MKx sta per qualsiasi tipo di MKC, MKA, MKK

MHx sta per qualsiasi tipo di MHC, MHA, MHK

Caratteristiche

  • Base di montaggio isolata 2500V~
  • Tecnologia di contatto a pressione con Maggiore capacità di cicli di potenza
  • Risparmio di spazio e peso

Applicazioni tipiche

  • Inverter
  • Calore induttivo
  • Chopper

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj( )

valore

unità

min

Tipo

max

IT(AV)

Corrente media in stato di accensione

180° con una lunghezza di 20 mm o più ma non superiore a 50 mm,

TC=85 C

125

300

A

IT(RMS)

Corrente di stato RMS

471

A

Idrm Irrm

Corrente di picco ripetitiva

a VDRM a VRRM

125

80

mA

ITSM

Corrente di sovratensione in stato di accensione

Onda sinusoidale mezza 10ms VR=60%VRRM

125

7.30

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

266

103A 2s

VTO

Voltaggio di soglia

125

1.36

V

rT

Resistenza di pendenza in stato di accensione

0.38

VTM

Tensione di picco in stato di accensione

ITM=900A

25

2.20

V

dv/dt

Tasso critico di aumento della tensione in stato di off

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento

Gate source 1.5A

tr ≤0.5μs Ripetitivo

125

200

A/μs

Tq

Tempo di spegnimento commutato da circuito

ITM=300A, tp=4000μs,VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

20

40

μs

IGT

Corrente di attivazione del gate

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Tensione di attivazione del gate

1.0

3.0

V

IH

Corrente di mantenimento

20

200

mA

IL

Corrente di aggancio

1000

mA

VGD

Tensione di gate non attivata

VDM= 67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

Raffreddato da un lato per chip

0.080

/W

Rth(c-h)

Resistenza termica case a dissipatore

Raffreddato da un lato per chip

0.040

/W

VISO

Tensione di isolamento

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

2500

V

FM

Coppia di collegamento terminale (M10)

10.0

12.0

N·m

Coppia di montaggio (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

temperatura di giunzione

-40

125

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

125

Wt

Peso

1260

g

Outline

415F3

Outline

Schema del circuito equivalente

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