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Modulo di tiristore/rettificatore per saldatura

Modulo di tiristore/rettificatore per saldatura

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MFC70, modulo rettificatore a tiristore per saldatura, raffreddamento ad aria

70A, 800V~1800V, 224H3

Brand:
TECHSEM
Spu:
MFC70
Appurtenance:

Brochure del prodotto:SCARICA

  • Introduzione
  • Outline
  • Schema del circuito equivalente
Introduzione

Breve introduzione

Modulo tiristore per saldatura ,m FC70 70A, raffreddamento ad aria ,Prodotto da TECHSEM.

VDSM,VRSM

VDRM, VRRM

Tipo e contorno

900V

800V

MFC70-08-224H3

1100V

1000V

MFC70-10-224H3

1300V

1200V

MFC70-12-224H3

1500V

1400V

MFC70-14-224H3

di potenza superiore a 600 V

1600V

MFC70-16-224H3

1900V

1800V

MFC70-18-224H3

Caratteristiche

  • Base di montaggio isolata 3000V~
  • Tecnologia di giunto saldato con Maggiore capacità di cicli di potenza
  • Risparmio di spazio e peso

Applicazioni tipiche

  • Motori a corrente alternata
  • Vari rettificatori
  • Alimentazione DC per inverter PWM

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj( )

valore

unità

min

TIPO

max

IT(AV)

Corrente media in stato di accensione

180° mezza onda sinusoidale 50Hz

Raffreddato da un solo lato, Tc =85

125

70

A

IT(RMS)

Corrente di stato RMS

125

110

A

Idrm Irrm

Corrente di picco ripetitiva

a VDRM a VRRM

125

15

mA

ITSM

Corrente di sovratensione in stato di accensione

Onda sinusoidale mezza 10ms VR=60%VRRM

125

1.8

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

16.2

A 2s* 10 3

VTO

Voltaggio di soglia

125

0.75

V

rT

Resistenza di pendenza in stato di accensione

3.64

m Ω

VTM

Tensione di picco in stato di accensione

ITM=210A

25

1.80

V

dv/dt

Tasso critico di aumento della tensione in stato di off

VDM=67%VDRM

125

1000

V/ μ s

di/dt

Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento

Gate source 1.5A

tr 0.5μ s Ripetitivo

125

200

A/ μ s

IGT

Corrente di attivazione del gate

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Tensione di attivazione del gate

0.6

2.5

V

IH

Corrente di mantenimento

10

250

mA

VGD

Tensione di gate non attivata

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

Raffreddato da un lato per chip

0.35

/W

Rth(c-h)

Resistenza termica case a dissipatore

Raffreddato da un lato per chip

0.15

/W

VISO

Tensione di isolamento

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Coppia di collegamento termico (M5)

2.5

4.0

n ·m

Coppia di montaggio (M6)

4.0

6.0

n ·m

Tvj

temperatura di giunzione

-40

125

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

125

Wt

Peso

100

g

Outline

224H3

Outline

Schema del circuito equivalente

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