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Breve introduzione
Moduli diodi (Tipo non isolato) ,MD 200,800V~1800V, 210F2NA, 210F2NK ,Prodotto da TECHSEM.
V RRM |
TIPO & Esemplare |
|
800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V |
MD200-08-210F2NA MD200-10-210F2NA MD200-12-210F2NA MD200-14-210F2NA MD200-16-210F2NA MD200-18-210F2NA |
MD200-08-210F2NK MD200-10-210F2NK MD200-12-210F2NK MD200-14-210F2NK MD200-16-210F2NK MD200-18-210F2NK |
Caratteristiche :
Applicazioni tipiche :
Il simbolo |
Caratteristica |
Condizioni di prova |
Tj( ℃ ) |
valore |
unità |
||
min |
TIPO |
max |
|||||
IF(AV) |
Corrente media diretta |
180° mezza onda sinusoidale 50Hz Raffreddato da un lato, TC=100 ℃ |
150 |
|
|
200 |
A |
IF(RMS) |
Corrente diretta RMS |
|
|
314 |
A |
||
IRRM |
Corrente di picco ripetitiva |
a VRRM |
150 |
|
|
8 |
mA |
IFSM |
Corrente di picco in avanti |
VR=60%VRRM, t=10ms mezzo seno |
150 |
|
|
6.2 |
kA |
I2t |
I2t per coordinazione fusibile |
|
|
192 |
103A2s |
||
VFO |
Voltaggio di soglia |
|
150 |
|
|
0.80 |
V |
rF |
Resistenza di pendenza in avanti |
|
|
0.96 |
mΩ |
||
VFM |
Tensione di picco in avanti |
IFM=600A |
25 |
|
|
1.50 |
V |
Rth(j-c) |
Resistenza termica Giunzione a custodia |
Raffreddato da un lato per chip |
|
|
|
0.20 |
。C/W |
Rth(c-h) |
Resistenza termica case a dissipatore |
Raffreddato da un lato per chip |
|
|
|
0.10 |
。C/W |
FM |
Coppia di collegamento terminale (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
Coppia di montaggio (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
|
Tvj |
temperatura di giunzione |
|
|
-40 |
|
150 |
℃ |
TSTG |
Temperatura di immagazzinamento |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Peso |
|
|
|
185 |
|
g |
Outline |
210F2NA, 210F2NK |
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