YMIF750-65,Modulo IGBT,IGBT a singolo interruttore,CRRC

V _CES

6500 V

V _{CE (sat)} Tipo.

3.0 V

Io _C Max.

750 A

Io _{C ((RM)} Max.

1500 A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Valore

Unità

V _CES

Tensione tra collettore ed emittente

VGE = 0V, TC = 25 °C

6500

V

V _GES

Tensione del portatore-emittente

TC= 25 °C

± 20

V

Io _C

Corrente tra collettore ed emittente

TC = 80 °C

750

A

Io _{C (((PK)}

Corrente di picco del collettore

tP=1 ms

1500

A

P _max

Dissipazione di potenza massima del transistor

Tvj = 150 °C, TC = 25 °C

11.7

kw

Io ²t

Diodo I2t

VR = 0V, tP = 10 ms, Tvj = 150 °C

460

kA2s

V _isolato

Tensione di isolamento - per modulo

(Terminali comuni alla piastra di base), AC RMS, 1 min, 50Hz, TC= 25 °C

10.2

kV

Q _PD

Scarico parziale - per modulo

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pC

Rth(J-C) IGBT

Resistenza termica - IGBT

8.5

K / kW

Rth(J-C) Diodo

Resistenza termica - Diodo

19.0

K / kW

Rth(C-H) IGBT

Resistenza termica -

case a dissipatore (IGBT)

Coppia di montaggio 5Nm,

con grasso di montaggio 1W/m·°C

9

K / kW

Rth(C-H) Diodo

Resistenza termica -

case a dissipatore (Diodo)

Coppia di montaggio 5Nm,

con grasso di montaggio 1W/m·°C

18

K / kW

Tvjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

( IGBT )

-40

125

°C

( Diodo )

-40

125

°C

TSTG

temperatura di immagazzinamento

Intervallo di temperatura di conservazione

-40

125

°C

M

Coppia di vite

Montaggio –M6

5

Nm

Collegamenti elettrici – M4

2

Nm

Collegamenti elettrici – M8

10

Nm

符号 Il simbolo

nome del parametro Parametro

条件

Condizioni di prova

最小值 Min.

valore tipico Tipo.

massimo valore Max.

unità Unità

ICES

集电极截止电流 (cluster di corrente elettrica)

Corrente di taglio del collettore

VGE = 0V, VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

90

mA

IGES

极漏电流 (极 scappamento di corrente)

Corrente di perdita di portata

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

gate -tensione di soglia dell'emettitore Tensione di soglia di ingresso

IC = 120mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

V

VCE (sat)

集电极 -tensione di saturazione dell'emettitore

Saturazione del collettore-emittente

tensione

VGE =15V, IC = 750A

3.0

3.4

V

VGE =15V, IC = 750A, Tvj = 125 °C

3.9

4.3

V

IF

corrente continua diretta del diodo Corrente di diodo in avanti

CC

750

A

IFRM

corrente di picco in avanti del diodo Corrente di picco in avanti del diodo

tP = 1 ms

1500

A

VF(*1)

tensione in avanti del diodo

Tensione di diodo in avanti

IF = 750A, VGE = 0

2.55

2.90

V

IF = 750A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.90

3.30

V

Isc

corrente di cortocircuito

Corrente di cortocircuito

Tvj = 125°C, VCC = 4500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE (max) = VCES L (max) *2) ×di/dt, IEC 6074-9

2800

A

- Cies

Capacità di ingresso

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

123

nF

CdG

极电荷

Importo della porta

±15V

9.4

μC

Cres

capacità di trasmissione inversa

Capacità di trasferimento inverso

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

2.6

nF

LM

induttanza del modulo

Induttanza del modulo

10

nH

RINT

resistenza interna

Resistenza interna del transistor

90

mΩ

tD _(off)

tempo di ritardo di spegnimento

Tempo di ritardo di spegnimento

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 6.8Ω , CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

3060

nS

Tvj= 125 °C

3090

t _f

- Il tempo scende. Tempo di caduta

Tvj= 25 °C

2390

nS

mJ

nS

nS

mJ

μC

Tvj= 125 °C

2980

E _OFF

perdite di spegnimento

Perdite di energia di spegnimento

Tvj= 25 °C

3700

Tvj= 125 °C

4100

tD _(connesso)

tempo di ritardo di accensione

Tempo di ritardo di accensione

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(ON) = 1.0Ω , CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

670

Tvj= 125 °C

660

tr

升时间 Tempo di risalita

Tvj= 25 °C

330

Tvj= 125 °C

340

E _ON

perdita di accensione

Perdita di energia all'accensione

Tvj= 25 °C

4400

Tvj= 125 °C

6100

Qrr

carica di recupero inverso del diodo Diodo inverso

tassa di recupero

IF =750A,

VCE = 3600V,

- diF/dt = 3000A/us, (Tvj= 125 °C).

Tvj= 25 °C

1300

Tvj= 125 °C

1680

- Non lo so.

corrente di recupero inverso del diodo Diodo inverso

corrente di recupero

Tvj= 25 °C

1310

A

mJ

Tvj= 125 °C

1460

Erec

perdita di recupero inverso del diodo Diodo inverso

energia di recupero

Tvj= 25 °C

2900

Tvj= 125 °C

4080