Modulo IGBT 6500V

V_CES

6500 V

V_{CE (sat)}Tipo.

3.0 V

Io_CMax.

750 A

Io_{C ((RM)}Max.

1500 A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

valore

unità

V_CES

Tensione tra collettore ed emittente

VGE = 0V, TC = 25 °C

6500

V

V_GES

Tensione del portatore-emittente

TC= 25 °C

± 20

V

Io_C

Corrente tra collettore ed emittente

TC = 80 °C

750

A

Io_{C (((PK)}

Corrente di picco del collettore

tP=1 ms

1500

A

P_max

Dissipazione di potenza massima del transistor

Tvj = 150 °C, TC = 25 °C

11.7

kw

Io²t

Diodo I2t

VR = 0V, tP = 10 ms, Tvj = 150 °C

460

kA2s

V_isolato

Tensione di isolamento - per modulo

(Terminali comuni alla piastra di base), AC RMS, 1 min, 50Hz, TC= 25 °C

10.2

kV

Q_PD

Scarico parziale - per modulo

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

PC

Rth(J-C) IGBT

Resistenza termica - IGBT

8.5

K / kW

Rth(J-C) Diodo

Resistenza termica - Diodo

19.0

K / kW

Rth(C-H) IGBT

Resistenza termica -

case a dissipatore (IGBT)

Coppia di montaggio 5Nm,

con grasso di montaggio 1W/m·°C

9

K / kW

Rth(C-H) Diodo

Resistenza termica -

case a dissipatore (Diodo)

Coppia di montaggio 5Nm,

con grasso di montaggio 1W/m·°C

18

K / kW

Tvjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

( IGBT )

-40

125

°C

( Diodo )

-40

125

°C

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

Intervallo di temperatura di conservazione

-40

125

°C

m

Coppia di vite

Montaggio –M6

5

Nm

Collegamenti elettrici – M4

2

Nm

Collegamenti elettrici – M8

10

Nm

符号Il simbolo

Nome del parametroParametro

条件

Condizioni di prova

最小值Min.

Valore tipicoTipo.

massimo valoreMax.

Unitàunità

ICES

集电极截止电流 (cluster di corrente elettrica)

Corrente di taglio del collettore

VGE = 0V, VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

90

mA

IGES

极漏电流 (极 scappamento di corrente)

Corrente di perdita di portata

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Gate-Tensione di soglia dell'emettitoreTensione di soglia di ingresso

IC = 120mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

V

VCE (sat)

集电极-Tensione di saturazione dell'emettitore

Saturazione del collettore-emittente

Tensione

VGE =15V, IC = 750A

3.0

3.4

V

VGE =15V, IC = 750A, Tvj = 125 °C

3.9

4.3

V

IF

Corrente continua diretta del diodoCorrente di diodo in avanti

CC

750

A

IFRM

Corrente di picco in avanti del diodoCorrente di picco in avanti del diodo

tP = 1 ms

1500

A

VF(*1)

Tensione in avanti del diodo

Tensione di diodo in avanti

IF = 750A, VGE = 0

2.55

2.90

V

IF = 750A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.90

3.30

V

Isc

Corrente di cortocircuito

Corrente di cortocircuito

Tvj = 125°C, VCC = 4500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE (max) = VCES L (max) *2) ×di/dt, IEC 6074-9

2800

A

- Cies

Capacità di ingresso

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

123

NF

CdG

极电荷

Importo della porta

±15V

9.4

μC

Cres

Capacità di trasmissione inversa

Capacità di trasferimento inverso

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

2.6

NF

LM

Induttanza del modulo

Induttanza del modulo

10

nH

RINT

Resistenza interna

Resistenza interna del transistor

90

mΩ

TD_(off)

Tempo di ritardo di spegnimento

Tempo di ritardo di spegnimento

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 6.8Ω , CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

3060

NS

Tvj= 125 °C

3090

t_F

- Il tempo scende.Tempo di caduta

Tvj= 25 °C

2390

NS

mJ

NS

NS

mJ

μC

Tvj= 125 °C

2980

e_OFF

Perdite di spegnimento

Perdite di energia di spegnimento

Tvj= 25 °C

3700

Tvj= 125 °C

4100

TD_(connesso)

Tempo di ritardo di accensione

Tempo di ritardo di accensione

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(ON) = 1.0Ω , CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

670

Tvj= 125 °C

660

tr

升时间Tempo di risalita

Tvj= 25 °C

330

Tvj= 125 °C

340

e_ON

Perdita di accensione

Perdita di energia all'accensione

Tvj= 25 °C

4400

Tvj= 125 °C

6100

Qrr

Carica di recupero inverso del diodoDiodo inverso

tassa di recupero

IF =750A,

VCE = 3600V,

- diF/dt = 3000A/us, (Tvj= 125 °C).

Tvj= 25 °C

1300

Tvj= 125 °C

1680

- Non lo so.

Corrente di recupero inverso del diodoDiodo inverso

corrente di recupero

Tvj= 25 °C

1310

A

mJ

Tvj= 125 °C

1460

Erec

Perdita di recupero inverso del diodoDiodo inverso

energia di recupero

Tvj= 25 °C

2900

Tvj= 125 °C

4080