Modulo IGBT 4500V

Parametro/参数

Simbolo/符号

Condizioni/条件

min

max

unità

Tensione tra collettore ed emittente 集电极 -发射极电压

V CES

V GE =0V,T Vj ≥25°C

4500

V

Collettore di corrente continua corrente 集电极电流 (cluster di corrente elettrica)

Io C

t C =80°C

650

A

Picco collettore corrente 集电极峰值电流

Io CM

tp=1ms,Tc=80°C

1300

A

Tensione del portatore-emittente 栅极发射极电压

V GES

-20

20

V

Totale Dissipazione di Potenza Perdita di potenza totale

P - Non

t C =25°C,perswitch(IGBT)

6670

W

Corrente continua in avanti Corrente continua in avanti

Io F

650

A

Corrente di picco in avanti Corrente di picco in avanti

Io MF

tP=1 ms

1300

A

- Un'ondata corrente Corrente di sovratensione

Io FSM

V r =0V,T Vj =125°C,tp=10ms, mezza onda sinusoidale

5300

A

Corto IGBT circuito SOA IGBT 短路安全工作区

t psc

V CC =3400V,V CEMCHIP ≤ 4500 V V GE ≤15V,Tvj≤125°C

10

μ s

Tensione di isolamento 绝缘电压

V isolato

1min, f=50Hz

10200

V

temperatura di giunzione 结温

t Vj

150

℃

Temperatura di funzionamento del giunzione eratura

t vj(op)

-50

125

℃

Temperatura della cassa 温

t C

-50

125

℃

Temperatura di conservazione temperatura di conservazione

t STG

-50

125

℃

Coppie di montaggio

m s

4

6

Nm

m t 1

8

10

m t 2

2

3

Parametro/参数

Simbolo/符号

Condizioni/条件

min

Tipo

max

unità

Collettore (- emettitore) rottura Tensione

集电极 -发射极阻断电压

V (BR) CES

V GE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

4500

V

Saturazione del collettore-emittente Tensione

集电极 -发射极饱和电压

V CEsat

Io C =650A, V GE =15V

Tvj= 25°C

2.7

3.2

V

Tvj=125°C

3.4

3.8

V

Taglio del collettore corrente 集电极截止电流 (cluster di corrente elettrica)

Io CES

V CE =4500V, V GE =0V

Tvj= 25°C

10

mA

Tvj=125°C

100

mA

Porta corrente di fuga 极漏电流 (极 scappamento di corrente)

Io GES

V CE =0V,V GE =20V, t Vj = 125°C

-500

500

NA

Tensione di soglia del portale-emittente Tensione di soglia gate-emettitore

V GE (th)

Io C =160mA,V CE =V GE , t Vj = 25°C

4.5

6.5

V

Porta carica 极电荷

Q g

Io C =650A,V CE = 2800V, V GE = 15V … 15V

5.4

μC

Capacità di ingresso

C ies

V CE =25V,V GE =0V, f=1MHz,T Vj = 25°C

71.4

NF

Capacità di uscita capacità di uscita

C - Non

4.82

Capacità di trasferimento inverso Capacità di trasferimento inverso

C res

1.28

Ritardo di accensione Tempo Tempo di ritardo di accensione

t D (in)

V CC = 2800V,

Io C =650A,

r g =2.2 Ω ,

V GE =± 15V,

L σ =280nH,

感性负载 (in inglese)

Tvj = 25 °C

420

NS

Tvj = 125 °C

528

Tempo di risalita 升时间

t r

Tvj = 25 °C

160

Tvj = 125 °C

190

Tempo di ritardo di spegnimento Tempo di ritardo di spegnimento

t D (OFF )

Tvj = 25 °C

2100

NS

Tvj = 125 °C

2970

Tempo di caduta - Il tempo scende.

t F

Tvj = 25 °C

1600

Tvj = 125 °C

2760

Accendere il comando energia persa Energia di perdita durante l'accensione

e ON

Tvj = 25 °C

1000

mJ

Tvj = 125 °C

1600

Sconto di accensione energia persa Energia di perdita durante lo spegnimento

e OFF

Tvj = 25 °C

2000

mJ

Tvj = 125 °C

2740

Cortocircuito corrente Corrente di cortocircuito

Io SC

t psc ≤ 10μ s, V GE = 15V, t Vj = 125°C,V CC = 3400V

3940

A

Parametro/参数

Simbolo/符号

Condizioni/条件

min

Tipo

max

unità

Voltaggio di avanzamento Tensione in avanti

V F

Io F =650A

Tvj = 25 °C

3.2

V

Tvj = 125 °C

3.6

Inverso corrente di recupero Corrente di recupero inversa

Io R

V CC = 2800V,

Io C =650A,

r g =2.2 Ω ,

V GE =± 15V,

L σ =280nH,

感性负载 (in inglese)

Tvj = 25 °C

1200

A

Tvj = 125 °C

1300

A

Importo recuperato carica recuperata

Q R

Tvj = 25 °C

450

μC

Tvj = 125 °C

550

μC

Inverso Tempo di Recupero Tempo di recupero inverso

t R

Tvj = 25 °C

660

NS

Tvj = 125 °C

750

Inverso energia di recupero Energia di recupero inversa

e Ricerca

Tvj = 25 °C

720

mJ

Tvj = 125 °C

860