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Modulo IGBT 3300V

Modulo IGBT 3300V

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YMIF400-33,Modulo IGBT,Interruttore Singolo IGBT,CRRC

3300V 400A

Brand:
CRRC
Spu:
YMIF400-33
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT,Moduli IGBT ad alta tensione, interruttore singolo prodotti da CRRC. 3300V 400A.

Caratteristiche

●SPT+chip-set per bassa commutazione perdite

Basso VCEsat

●Bassa potenza di pilotaggio Potenza

●APiastra base in lSiC per alta Potenza Cciclabilità capabilitY

●Sottostrato in AlN per bassa termica resistenza

TipicoApplicazione

●Azionamenti di trazione

●Chopper DC

●Inverter di media tensioneraddrizzatori/convertitori

Valori massimi nominali

Parametro

Il simbolo

Condizioni

min

max

unità

Tensione tra collettore ed emittente

VCES

VGE =0V,Tvj ≥25°C

3300

V

Corrente di collettore DC

Ic

TC =80°C

400

A

Corrente di picco del collettore

MIC

tp=1ms,Tc=80°C

800

A

Tensione del portatore-emittente

VGES

-20

20

V

Dissipazione totale di potenza

Ptot

TC =25°C, per interruttore (IGBT)

7100

W

Corrente continua in avanti

IF

400

A

Corrente di picco in avanti

IFRM

tP=1 ms

800

A

Corrente di sovratensione

IFSM

VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, onda sinusoidale metà

3000

A

SOA di cortocircuito IGBT

tpsc

VCC =2500V,VCEMCHIP ≤3300V VGE ≤15V,Tvj≤125°C

10

μs

Tensione di isolamento

Visol

1min, f=50Hz

10200

V

temperatura di giunzione

Tvj

150

Temperatura di giunzione operativa

Tvj ((op)

-50

150

Temperatura della cassa

TC

-50

125

Temperatura di conservazione

TSTG

-50

125

Coppie di montaggio

MS

Base-radiatoreViti M6

4

6

Nm

Mt1

Terminali principaliViti M8

8

10

Valori caratteristici IGBT

Parametro

Il simbolo

Condizioni

min

Tipo

max

unità

Tensione di rottura del collettore (- emettitore)

V ((BR) CES

VGE =0V,IC=5mA, Tvj=25°C

3300

V

Tensione di saturazione del collettore-emettitore

VCEsat

IC =400A, VGE =15V

Tvj= 25°C

3.0

V

Tvj=125°C

3.6

V

Corrente di taglio del collettore

ICES

VCE =3300V, VGE =0V

Tvj= 25°C

5

mA

Tvj=125°C

50

mA

Corrente di perdita di portata

IGES

VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C

-500

500

NA

Tensione di soglia del portale-emittente

VGE (th)

IC =80mA,VCE =VGE, Tvj =25°C

5.5

7.5

V

Importo della porta

CdG

IC =400A,VCE =1800V, VGE =-15V … 15V

4.0

μC

Capacità di ingresso

- Cies

VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C

65

NF

Capacità di uscita

Coes

3.7

Capacità di trasferimento inverso

Cres

0.8

Tempo di ritardo di accensione

Td (in)

VCC =1800V,

IC =400A,

RG =2.3Ω ,

VGE =±15V,

Lσ=280nH,

感性负载 (in inglese)

Tvj = 25 °C

650

NS

Tvj = 125 °C

750

Tempo di risalita

tr

Tvj = 25 °C

400

Tvj = 125 °C

470

Tempo di ritardo di spegnimento

Td (off)

Tvj = 25 °C

1600

NS

Tvj = 125 °C

1800

Tempo di caduta

TF

Tvj = 25 °C

1100

Tvj = 125 °C

1200

Energia di perdita di commutazione all'accensione

EON

Tvj = 25 °C

1400

mJ

Tvj = 125 °C

1800

Energia di perdita di commutazione allo spegnimento

EOFF

Tvj = 25 °C

1300

mJ

Tvj = 125 °C

1700

Corrente di cortocircuito

Isc

tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 2500V

2500

A

Valori caratteristici dei diodi

Parametro

Il simbolo

Condizioni

min

Tipo

max

unità

Voltaggio di avanzamento

VF

IF =400A

Tvj = 25 °C

2.3

2.6

V

Tvj = 125 °C

2.35

2.6

Corrente di recupero inversa

- Non lo so.

VCC =1800V,

IC =400A,

RG =2.3Ω ,

VGE =±15V,

Lσ=280nH,

Tvj = 25 °C

900

A

Tvj = 125 °C

1000

Importo recuperato

Qrr

Tvj = 25 °C

700

μC

Tvj = 125 °C

1000

Tempo di recupero inverso

trr

Tvj = 25 °C

850

NS

Tvj = 125 °C

2200

Energia di recupero inverso

Erec

Tvj =25 °C

850

mJ

Tvj = 125 °C

1300

Outline

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