YMIF400-33,Modulo IGBT,Interruttore Singolo IGBT,CRRC

Parametro

Il simbolo

Condizioni

min

max

Unità

Tensione tra collettore ed emittente

VCES

VGE =0V,Tvj ≥25°C

3300

V

Corrente di collettore DC

Ic

TC =80°C

400

A

Corrente di picco del collettore

MIC

tp=1ms,Tc=80°C

800

A

Tensione del portatore-emittente

VGES

-20

20

V

Dissipazione totale di potenza

Ptot

TC =25°C, per interruttore (IGBT)

7100

W

Corrente continua in avanti

IF

400

A

Corrente di picco in avanti

IFRM

tP=1 ms

800

A

Corrente di sovratensione

IFSM

VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, onda sinusoidale metà

3000

A

SOA di cortocircuito IGBT

tpsc

VCC =2500V,VCEMCHIP ≤3300V VGE ≤15V,Tvj≤125°C

10

μs

Tensione di isolamento

Visol

1min, f=50Hz

10200

V

Temperatura di giunzione

Tvj

150

℃

Temperatura di giunzione operativa

Tvj ((op)

-50

150

℃

Temperatura della cassa

TC

-50

125

℃

Temperatura di conservazione

TSTG

-50

125

℃

Coppie di montaggio

MS

Base-radiatore ，Viti M6

4

6

Nm

Mt1

Terminali principali ，Viti M8

8

10

Parametro

Il simbolo

Condizioni

Min

tIPO

max

Unità

Tensione di rottura del collettore (- emettitore)

V ((BR) CES

VGE =0V,IC=5mA, Tvj=25°C

3300

V

Tensione di saturazione del collettore-emettitore

VCEsat

IC =400A, VGE =15V

Tvj= 25°C

3.0

V

Tvj=125°C

3.6

V

Corrente di taglio del collettore

ICES

VCE =3300V, VGE =0V

Tvj= 25°C

5

mA

Tvj=125°C

50

mA

Corrente di perdita di portata

IGES

VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C

-500

500

nA

Tensione di soglia del portale-emittente

VGE (th)

IC =80mA,VCE =VGE, Tvj =25°C

5.5

7.5

V

Importo della porta

CdG

IC =400A,VCE =1800V, VGE =-15V … 15V

4.0

μC

Capacità di ingresso

- Cies

VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C

65

nF

Capacità di uscita

Coes

3.7

Capacità di trasferimento inverso

Cres

0.8

Tempo di ritardo di accensione

td (in)

VCC =1800V,

IC =400A,

RG =2.3Ω ,

VGE =±15V,

Lσ=280nH,

感性负载 (in inglese)

Tvj = 25 °C

650

nS

Tvj = 125 °C

750

Tempo di risalita

tr

Tvj = 25 °C

400

Tvj = 125 °C

470

Tempo di ritardo di spegnimento

td (off)

Tvj = 25 °C

1600

nS

Tvj = 125 °C

1800

Tempo di caduta

tF

Tvj = 25 °C

1100

Tvj = 125 °C

1200

Energia di perdita di commutazione all'accensione

EON

Tvj = 25 °C

1400

mJ

Tvj = 125 °C

1800

Energia di perdita di commutazione allo spegnimento

EOFF

Tvj = 25 °C

1300

mJ

Tvj = 125 °C

1700

Corrente di cortocircuito

Isc

tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 2500V

2500

A

Parametro

Il simbolo

Condizioni

min

tIPO

max

Unità

Voltaggio di avanzamento

VF

IF =400A

Tvj = 25 °C

2.3

2.6

V

Tvj = 125 °C

2.35

2.6

Corrente di recupero inversa

- Non lo so.

VCC =1800V,

IC =400A,

RG =2.3Ω ,

VGE =±15V,

Lσ=280nH,

Tvj = 25 °C

900

A

Tvj = 125 °C

1000

Importo recuperato

Qrr

Tvj = 25 °C

700

μC

Tvj = 125 °C

1000

Tempo di recupero inverso

trr

Tvj = 25 °C

850

nS

Tvj = 125 °C

2200

Energia di recupero inverso

Erec

Tvj =25 °C

850

mJ

Tvj = 125 °C

1300