Modulo IGBT 6500V

Parametro

Il simbolo

Condizioni

min

max

unità

Collettore-emittente Tensione

VCES

VGE=0V,TVj ≥ 25°C

6500

V

Corrente di collettore DC

IoC

tC =80°C

250

A

Corrente di picco del collettore

IoCM

tp=1ms,Tc=80°C

500

A

Tensione del portatore-emittente

VGES

-20

20

V

Potenza totale dissipazione

P- Non

tC=25°C,perswitch(IGBT)

3200

W

Corrente continua in avanti

IoF

250

A

Picco in avanti corrente

IoMF

tP=1 ms

500

A

Corto IGBT circuito SOA

tpsc

VCC =4400V,VCEMCHIP ≤ 6500V VGE≤ 15V,Tvj≤ 125°C

10

μs

Tensione di isolamento

Visolato

1min, f=50Hz

10200

V

temperatura di giunzione

tVj

125

℃

Temperatura di giunzione operativa

tvj(op)

-50

125

℃

Temperatura della cassa

tC

-50

125

℃

Temperatura di conservazione

tSTG

-50

125

℃

Coppie di montaggio

MS

4

6

Nm

mt1

8

10

Parametro

Il simbolo

Condizioni

min

Tipo

max

unità

Collettore (- emettitore) tensione di rottura

V ((BR) CES

VGE=0V,IC=3mA, Tvj=25°C

6500

V

Collettore-emittente Saturazione Tensione

VCEsat

IC=250A,V GE=15V

Tvj= 25°C

2.6

3

3.4

V

Tvj=125°C

3.4

4

4.6

V

Collettore corrente di interruzione

ICES

VCE=6500V,VGE=0V

Tvj= 25°C

4

mA

Tvj=125°C

50

mA

Porta corrente di fuga

IGES

VCE=0V,VGE=20V,Tvj=125°C

-500

500

NA

Limita di emissione della porta Tensione

V GE (th)

IC=80mA,VCE=VGE,Tvj=25°C

5.4

6.2

7

V

Tempo di ritardo di accensione

tD (in)

VCC=3600V, IC=250A,

RGon=6.8Ω ,

RGoff=33Ω ,

CGE=100nF

VGE=± 15V,

Ls=280nH,

感性负载 (in inglese)

Tvj = 25 °C

1

μ s

Tvj = 125 °C

0.94

aumento Tempo

tr

Tvj = 25 °C

0.76

Tvj = 125 °C

0.81

Tempo di ritardo di spegnimento

td ((off)

Tvj = 25 °C

3.9

μ s

Tvj = 125 °C

4.2

Tempo di caduta

tF

Tvj = 25 °C

2.2

Tvj = 125 °C

2.8

Accendere il comando energia persa

EON

Tvj = 25 °C

3081

mJ

Tvj = 125 °C

3900

Sconto di accensione energia persa

eOFF

Tvj = 25 °C

2100

mJ

Tvj = 125 °C

1236

Corto corrente di circuito

IoSC

tpsc ≤ 10 μm s, V GE

=15V, Tvj=125℃,V CC =

4400V

Tvj = 125 °C

940

A