YMIF1000-33, modulo IGBT, IGBT a interruttore singolo, CRRC

YMIF1000-33,Modulo IGBT,Interruttore Singolo IGBT,CRRC

Modulo IGBT，3300V 1000A

Brand:

CRRC

Spu:

YMIF1000-33

Breve introduzione

Moduli IGBT ad alta tensione, interruttore singolo prodotti da CRRC. 3300V 1000A.

Chiave Parametri

Applicazioni tipiche

Applicazioni tipiche

Valore Massimo Assoluto

(Simbolo)	(Parametro)	(Condizioni di prova)	(valore)	(Unità)
VCES	Tensione tra collettore ed emittente	VGE = 0V, TC = 25 °C	3300	V
VGES	Tensione del portatore-emittente	TC= 25 °C	± 20	V
I C	Corrente tra collettore ed emittente	TC = 95 °C	1000	A
IC(PK)	Corrente di picco del collettore	t P= 1ms	2000	A
P max	Dissipazione di potenza massima del transistor	Tvj = 150 °C, TC = 25 °C	10.4	kw
- Non lo so.	Diodo I2t	VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C	320	kA2s
Visol	Tensione di isolamento per modulo	Terminali comuni alla piastra di base), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C	6000	V
Q PD	Scarica parziale per modulo	IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C	10	PC

Caratteristiche Elettriche

(Simbolo)		(Parametro)	(Condizioni di prova)	(Min)	(tipico)	(Max)	(Unità)
I CES		Corrente di taglio del collettore	VGE = 0V, VCE = VCES			1	mA
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C			60	mA
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C			100	mA
I GES		Corrente di perdita di portata	VGE = ±20V, VCE = 0V			1	μA
VGE (TH)		Tensione di soglia di ingresso	I C= 80mA, VGE= VCE	5.50	6.10	7.00	V
VCE	(*1) (sat)	Saturazione del collettore-emittente Tensione	VGE= 15V, I C= 1000A		2.40	2.90	V
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C		2.95	3.40	V
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C		3.10	3.60	V
I F		Corrente di diodo in avanti	CC		1000		A
I FRM		Corrente di diodo massima in avanti	t P = 1ms		2000		A
VF(*1)		Tensione di diodo in avanti	I F= 1000A		2.10	2.60	V
			I F= 1000A, Tvj= 125 ° C		2.25	2.70	V
			I F= 1000A, Tvj= 150 ° C		2.25	2.70	V
C ies		Capacità di ingresso	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz		170		NF
Q g		Importo della porta	±15V		17		μC
C res		Capacità di trasferimento inverso	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz		4		NF
L M		Induttanza del modulo			15		nH
R INT		Resistenza interna del transistor			165		μΩ
I SC		Corrente di cortocircuito, ISC	Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9		3900		A

Td (off)	Tempo di ritardo di spegnimento	I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	1800	NS
t f	Tempo di caduta		530	NS
E OFF	Perdite di energia di spegnimento		1600	mJ
Td (in)	Tempo di ritardo di accensione		680	NS
t r	Tempo di risalita		320	NS
EON	Perdita di energia all'accensione		1240	mJ
Q rr	Carica di recupero inverso del diodo	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	780	μC
I rr	Corrente di recupero inverso del diodo		810	A
E rec	Energia di recupero inverso del diodo		980	mJ
Td (off)	Tempo di ritardo di spegnimento	I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	1940	NS
t f	Tempo di caduta		580	NS
E OFF	Perdite di energia di spegnimento		1950	mJ
Td (in)	Tempo di ritardo di accensione		660	NS
t r	Tempo di risalita		340	NS
EON	Perdita di energia all'accensione		1600	mJ
Q rr	Carica di recupero inverso del diodo	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	1200	μC
I rr	Corrente di recupero inverso del diodo	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	930	A