YMIBH250-33, Modulo IGBT, Ponte Semplificato IGBT, CRRC

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Valore

Unità

VCES

Tensione tra collettore ed emittente

VGE = 0V, TC = 25 °C

3300

V

VGES

Tensione del portatore-emittente

TC= 25 °C

± 20

V

Ic

Corrente tra collettore ed emittente

TC = 100 °C

250

A

IC(PK)

Corrente di picco del collettore

tP=1 ms

500

A

Pmax

Dissipazione di potenza massima del transistor

Tvj = 150 °C, TC = 25 °C

2.6

kw

I2t

Diodo I2t

VR = 0V, tP = 10 ms, Tvj = 150 °C

20

kA2s

Visol

Tensione di isolamento - per modulo

(Terminali comuni alla base), AC RMS, 1 min, 50Hz, TC= 25 °C

6

kV

QPD

Scarico parziale - per modulo

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pC

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

ICES

Corrente di taglio del collettore

VGE = 0V, VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

Corrente di perdita di portata

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Tensione di soglia di ingresso

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V

VCE (sat)

Saturazione del collettore-emittente tensione

VGE = 15V, IC = 250A

2.50

2.80

V

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

V

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

V

IF

Corrente di diodo in avanti

CC

250

A

IFRM

Corrente di picco in avanti del diodo

tP = 1 ms

500

A

VF(*1)

Tensione di diodo in avanti

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V

Isc

Corrente di cortocircuito

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE (max) = VCES L (max) *2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

A

ICES

Corrente di taglio del collettore

VGE = 0V, VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

Corrente di perdita di portata

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Tensione di soglia di ingresso

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V

VCE (sat)

Saturazione del collettore-emittente

tensione

VGE = 15V, IC = 250A

2.50

2.80

V

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

V

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

V

IF

Corrente di diodo in avanti

CC

250

A

IFRM

Corrente di picco in avanti del diodo

tP = 1 ms

500

A

VF(*1)

Tensione di diodo in avanti

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V

Isc

Corrente di cortocircuito

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE (max) = VCES L (max) *2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

A

t d ((off)

Tempo di ritardo di spegnimento

Io C = 250 A,

V CE = di potenza massima di potenza di potenza superiore a 1000 V V GE = ± 15 V, R G ((OFF) = 9,0Ω , C GE = 56nF,

L S = 150nH,

T vj = 25 °C

1480

nS

T vj = 125 °C

1550

T vj = 150 °C

1570

t f

Tempo di caduta

T vj = 25 °C

1280

nS

T vj = 125 °C

1920

T vj = 150 °C

2120

E OFF

Perdite di energia di spegnimento

T vj = 25 °C

300

mJ

T vj = 125 °C

380

T vj = 150 °C

400

t d (in)

Tempo di ritardo di accensione

Io C = 250 A,

V CE = di potenza massima di potenza di potenza superiore a 1000 V V GE = ± 15 V, R G ((ON) = 6,0Ω , C GE = 56nF,

L S = 150nH,

T vj = 25 °C

640

nS

T vj = 125 °C

650

T vj = 150 °C

650

t r

Tempo di risalita

T vj = 25 °C

220

nS

T vj = 125 °C

235

T vj = 150 °C

238

E ON

Energia di accensione perdita

T vj = 25 °C

395

mJ

T vj = 125 °C

510

T vj = 150 °C

565

Q r

Diodo inverso

tassa di recupero

Io F = 250 A,

V CE = di potenza massima di potenza di potenza superiore a 1000 V

- Sì. io F /dt = 1200A/us, (T vj = 125 °C).

T vj = 25 °C

190

μC

T vj = 125 °C

295

T vj = 150 °C

335

Io r

Diodo inverso

corrente di recupero

T vj = 25 °C

185

A

T vj = 125 °C

210

T vj = 150 °C

216

E ricerca

Diodo inverso

energia di recupero

T vj = 25 °C

223

mJ

T vj = 125 °C

360

T vj = 150 °C

410