Modulo IGBT 1700V

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C = 100O C

706

450

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

900

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T = 175 O C

2542

W

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1700

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

450

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

900

A

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

O C

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 450 A,V GE = 15V, t j = 25 O C

1.85

2.20

V

Io C = 450 A,V GE = 15V, t j = 125 O C

2.25

Io C = 450 A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 18,0 mA,V CE =V GE , T j = 25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

400

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.67

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

54.2

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.32

NF

Q g

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

4.24

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 450A, r g =3.3Ω,V GE =± 15V, t j = 25 O C

179

NS

t r

Tempo di risalita

105

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

680

NS

t F

Tempo di caduta

375

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

116

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

113

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 450A, r g =3.3Ω,V GE =± 15V, t j = 125O C

208

NS

t r

Tempo di risalita

120

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

784

NS

t F

Tempo di caduta

613

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

152

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

171

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 450A, r g =3.3Ω,V GE =± 15V, t j = 150O C

208

NS

t r

Tempo di risalita

120

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

800

NS

t F

Tempo di caduta

720

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

167

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

179

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1800

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 450 A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.80

2.25

V

Io F = 450 A,V GE =0V,T j = 125O C

1.95

Io F = 450 A,V GE =0V,T j = 150O C

1.90

Q r

Importo recuperato

V r =900V,I F = 450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 25 O C

105

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

198

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

69.0

mJ

Q r

Importo recuperato

V r =900V,I F = 450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 125O C

187

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

578

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

129

mJ

Q r

Importo recuperato

V r =900V,I F = 450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 150O C

209

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

585

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

150

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

r 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

ΔR/R

Deviazione di r 100

t C = 100 O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

r 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

Valore B

r 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

Valore B

r 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

k

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

1.10

mΩ

r ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.059

0.083

C/W

r thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Cassa-sink (per Modulo)

0.031

0.043

0.009

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

g

Peso di Modulo

350

g