Modulo IGBT, 1200V 450A
Breve introduzione
modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 400A.
Caratteristiche
Tipico Applicazioni
Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
IGBT
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
V CES | Tensione tra collettore ed emittente | 1200 | V |
V GES | Tensione del portatore-emittente | ±20 | V |
Io C | Collettore corrente @ t C = 25 O C @ t C = 100O C | 630 400 | A |
Io CM | Pulsato Collettore corrente t P =1 MS | 800 | A |
P D | Massimo Potenza dissipazione @ t j = 175 O C | 2083 | W |
Diodo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
V RRM | Tensione inversa di picco ripetitiva | 1200 | V |
Io F | Diodo di corrente continua in avanti | 400 | A |
Io FM | Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms | 800 | A |
Modulo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
t jmax | Massima Temperatura di Giunzione ature | 175 | O C |
t - Giappone | Temperatura di funzionamento della giunzione | -40 To +150 | O C |
t STG | Intervallo di temperatura di conservazione | -40 To +125 | O C |
V ISO | Isolamento Tensione RMS ,f=50 HZ ,t=1 min | 4000 | V |
IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
V CE (seduto ) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | Io C = 400A, V GE = 15V, t j = 25 O C |
| 1.70 | 2.15 |
V |
Io C = 400A, V GE = 15V, t j = 125 O C |
| 1.95 |
| |||
Io C = 400A, V GE = 15V, t j = 150 O C |
| 2.00 |
| |||
V GE (th ) | Limita di emissione della porta Tensione | Io C = 10.0mA ,V CE = V GE ,t j = 25 O C | 5.2 | 6.0 | 6.8 | V |
Io CES | Interruzione del Collettore corrente | V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C |
|
| 5.0 | mA |
Io GES | Perforazione del portello corrente | V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C |
|
| 400 | NA |
r Gint | Resistenza interna della porta |
|
| 1.9 |
| Ω |
C ies | Capacità di ingresso | V CE =25V,f=1 MHz , V GE =0V |
| 41.4 |
| NF |
C res | Trasferimento inverso Capacità |
| 1.16 |
| NF | |
Q g | Importo della porta | V GE - Sì. 15V... +15V |
| 3.11 |
| μC |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V, Io C = 400A, r g = 2,0Ω, V GE =± 15V, t j = 25 O C |
| 257 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 96 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 628 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 103 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 23.5 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 34.0 |
| mJ | |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V, Io C = 400A, r g = 2,0Ω, V GE =± 15V, t j = 125O C |
| 268 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 107 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 659 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 144 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 35.3 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 51.5 |
| mJ | |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V, Io C = 400A, r g = 2,0Ω, V GE =± 15V, t j = 150O C |
| 278 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 118 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 680 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 155 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 38.5 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 56.7 |
| mJ | |
Io SC |
Dati SC | t P ≤10μs, V GE = 15V, t j = 150 O C ,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V |
|
1600 |
|
A |
Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
V F | Diodo di avanzamento Tensione | Io F = 400A, V GE =0V, t j = 25 O C |
| 1.80 | 2.25 |
V |
Io F = 400A, V GE =0V, t j = 125O C |
| 1.85 |
| |||
Io F = 400A, V GE =0V, t j = 150O C |
| 1.85 |
| |||
Q r | Importo recuperato | V r = 600V, Io F = 400A, -di /dt =5000A/μs, V GE - Sì. 15V t j = 25 O C |
| 38.0 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 285 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 19 |
| mJ | |
Q r | Importo recuperato | V r = 600V, Io F = 400A, -di /dt =5000A/μs, V GE - Sì. 15V t j = 125O C |
| 66.5 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 380 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 36.6 |
| mJ | |
Q r | Importo recuperato | V r = 600V, Io F = 400A, -di /dt =5000A/μs, V GE - Sì. 15V t j = 150O C |
| 76.0 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 399 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 41.8 |
| mJ |
Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Min. | Tipo. | Max. | unità |
L CE | Induttanza di deflusso |
|
| 20 | nH |
r CC + EE ’ | Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale al Chip |
| 0.18 |
| mΩ |
r ilJC | Giunti -To -Caso (per IGBT ) Giunti -To -Caso (per Diodo ) |
|
| 0.072 0.095 | C/W |
r thCH | Caso -To -Dissipatore di Calore (per IGBT ) Caso -To -Dissipatore di Calore (per Diodo ) Cassa-sink (per modulo) |
| 0.018 0.023 0.010 |
|
C/W |
m | Torsione di connessione terminale, Vite La M6 Montaggio Coppia , Vite m 6 | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | N.M |
g | Peso di Modulo |
| 300 |
| g |
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