Modulo IGBT, 1200V 450A
Breve introduzione
Modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 400A.
Caratteristiche
Tipico Applicazioni
Assoluto Massimo Classificazioni T C = 25 o C a meno che altrimenti notato
IGBT
Il simbolo |
Descrizione |
Valore |
Unità |
V CES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1200 |
V |
V GES |
Tensione del portatore-emittente |
±20 |
V |
Io C |
Collettore Corrente @ T C = 25 o C @ T C = 100o C |
630 400 |
A |
Io CM |
Pulsato Collettore Corrente t p =1 mS |
800 |
A |
P P |
Massimo Potenza Dissipazione @ T j = 175 o C |
2083 |
W |
Diodo
Il simbolo |
Descrizione |
Valore |
Unità |
V RRM |
Tensione inversa di picco ripetitiva |
1200 |
V |
Io F |
Diodo di corrente continua in avanti |
400 |
A |
Io FM |
Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms |
800 |
A |
Modulo
Il simbolo |
Descrizione |
Valore |
Unità |
T jmax |
Massima Temperatura di Giunzione ature |
175 |
o C |
T - Giappone |
Temperatura di funzionamento della giunzione |
-40 to +150 |
o C |
T STG |
Intervallo di temperatura di conservazione |
-40 to +125 |
o C |
V ISO |
Isolamento Tensione RMS ,f=50 HZ ,t=1 min |
4000 |
V |
IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
V CE (seduto ) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione |
Io C = 400A, V GE = 15V, T j = 25 o C |
|
1.70 |
2.15 |
V |
Io C = 400A, V GE = 15V, T j = 125 o C |
|
1.95 |
|
|||
Io C = 400A, V GE = 15V, T j = 150 o C |
|
2.00 |
|
|||
V GE (th ) |
Limita di emissione della porta Tensione |
Io C = 10.0mA ,V CE = V GE ,T j = 25 o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
Io CES |
Interruzione del Collettore Corrente |
V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C |
|
|
5.0 |
mA |
Io GES |
Perforazione del portello Corrente |
V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Resistenza interna della porta |
|
|
1.9 |
|
ω |
C ies |
Capacità di ingresso |
V CE =25V,f=1 MHz , V GE =0V |
|
41.4 |
|
nF |
C res |
Trasferimento inverso Capacità |
|
1.16 |
|
nF |
|
Q G |
Importo della porta |
V GE - Sì. 15V... +15V |
|
3.11 |
|
μC |
t p (oN ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V, Io C = 400A, R G = 2,0Ω, V GE =± 15V, T j = 25 o C |
|
257 |
|
nS |
t r |
Tempo di risalita |
|
96 |
|
nS |
|
t p (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
628 |
|
nS |
|
t f |
Tempo di caduta |
|
103 |
|
nS |
|
E oN |
Accendere Commutazione Perdita |
|
23.5 |
|
mJ |
|
E oFF |
Sconto di accensione Perdita |
|
34.0 |
|
mJ |
|
t p (oN ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V, Io C = 400A, R G = 2,0Ω, V GE =± 15V, T j = 125o C |
|
268 |
|
nS |
t r |
Tempo di risalita |
|
107 |
|
nS |
|
t p (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
659 |
|
nS |
|
t f |
Tempo di caduta |
|
144 |
|
nS |
|
E oN |
Accendere Commutazione Perdita |
|
35.3 |
|
mJ |
|
E oFF |
Sconto di accensione Perdita |
|
51.5 |
|
mJ |
|
t p (oN ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V, Io C = 400A, R G = 2,0Ω, V GE =± 15V, T j = 150o C |
|
278 |
|
nS |
t r |
Tempo di risalita |
|
118 |
|
nS |
|
t p (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
680 |
|
nS |
|
t f |
Tempo di caduta |
|
155 |
|
nS |
|
E oN |
Accendere Commutazione Perdita |
|
38.5 |
|
mJ |
|
E oFF |
Sconto di accensione Perdita |
|
56.7 |
|
mJ |
|
Io SC |
Dati SC |
t P ≤10μs, V GE = 15V, T j = 150 o C ,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V |
|
1600 |
|
A |
Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
V F |
Diodo di avanzamento Tensione |
Io F = 400A, V GE =0V, T j = 25 o C |
|
1.80 |
2.25 |
V |
Io F = 400A, V GE =0V, T j = 125o C |
|
1.85 |
|
|||
Io F = 400A, V GE =0V, T j = 150o C |
|
1.85 |
|
|||
Q r |
Importo recuperato |
V R = 600V, Io F = 400A, -di /dt =5000A/μs, V GE - Sì. 15V T j = 25 o C |
|
38.0 |
|
μC |
Io RM |
Verso il picco inverso Corrente di recupero |
|
285 |
|
A |
|
E ricerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
19 |
|
mJ |
|
Q r |
Importo recuperato |
V R = 600V, Io F = 400A, -di /dt =5000A/μs, V GE - Sì. 15V T j = 125o C |
|
66.5 |
|
μC |
Io RM |
Verso il picco inverso Corrente di recupero |
|
380 |
|
A |
|
E ricerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
36.6 |
|
mJ |
|
Q r |
Importo recuperato |
V R = 600V, Io F = 400A, -di /dt =5000A/μs, V GE - Sì. 15V T j = 150o C |
|
76.0 |
|
μC |
Io RM |
Verso il picco inverso Corrente di recupero |
|
399 |
|
A |
|
E ricerca |
Ritorno al recupero Energia |
|
41.8 |
|
mJ |
Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
L CE |
Induttanza di deflusso |
|
|
20 |
nH |
R CC + EE ’ |
Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale al Chip |
|
0.18 |
|
mΩ |
R ilJC |
Giunti -to -Caso (per IGBT ) Giunti -to -Caso (per Diodo ) |
|
|
0.072 0.095 |
C/W |
R thCH |
Caso -to -Dissipatore di Calore (per IGBT ) Caso -to -Dissipatore di Calore (per Diodo ) Cassa-sink (per modulo) |
|
0.018 0.023 0.010 |
|
C/W |
M |
Torsione di connessione terminale, Vite M6 Montaggio Coppia , Vite M 6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.M |
G |
Peso di Modulo |
|
300 |
|
g |
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