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Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

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GD400SGY120C2S,Modulo IGBT,STARPOWER

Modulo IGBT, 1200V 450A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD400SGY120C2S
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 400A.

Caratteristiche

  • Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Tipico Applicazioni

  • Invertitori per motori
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Collettore corrente @ t C = 25 O C

@ t C = 100O C

630

400

A

Io CM

Pulsato Collettore corrente t P =1 MS

800

A

P D

Massimo Potenza dissipazione @ t j = 175 O C

2083

W

Diodo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di corrente continua in avanti

400

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

800

A

Modulo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Massima Temperatura di Giunzione ature

175

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 To +150

O C

t STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 To +125

O C

V ISO

Isolamento Tensione RMS ,f=50 HZ ,t=1 min

4000

V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (seduto )

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 400A, V GE = 15V, t j = 25 O C

1.70

2.15

V

Io C = 400A, V GE = 15V, t j = 125 O C

1.95

Io C = 400A, V GE = 15V, t j = 150 O C

2.00

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 10.0mA ,V CE = V GE ,t j = 25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Io CES

Interruzione del Collettore

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V,

t j = 25 O C

400

NA

r Gint

Resistenza interna della porta

1.9

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE =25V,f=1 MHz ,

V GE =0V

41.4

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.16

NF

Q g

Importo della porta

V GE - Sì. 15V... +15V

3.11

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V, Io C = 400A, r g = 2,0Ω,

V GE =± 15V, t j = 25 O C

257

NS

t r

Tempo di risalita

96

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

628

NS

t F

Tempo di caduta

103

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

23.5

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

34.0

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V, Io C = 400A, r g = 2,0Ω,

V GE =± 15V, t j = 125O C

268

NS

t r

Tempo di risalita

107

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

659

NS

t F

Tempo di caduta

144

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

35.3

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

51.5

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V, Io C = 400A, r g = 2,0Ω,

V GE =± 15V, t j = 150O C

278

NS

t r

Tempo di risalita

118

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

680

NS

t F

Tempo di caduta

155

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

38.5

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

56.7

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C ,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 400A, V GE =0V, t j = 25 O C

1.80

2.25

V

Io F = 400A, V GE =0V, t j = 125O C

1.85

Io F = 400A, V GE =0V, t j = 150O C

1.85

Q r

Importo recuperato

V r = 600V, Io F = 400A,

-di /dt =5000A/μs, V GE - Sì. 15V t j = 25 O C

38.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

285

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

19

mJ

Q r

Importo recuperato

V r = 600V, Io F = 400A,

-di /dt =5000A/μs, V GE - Sì. 15V t j = 125O C

66.5

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

380

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

36.6

mJ

Q r

Importo recuperato

V r = 600V, Io F = 400A,

-di /dt =5000A/μs, V GE - Sì. 15V t j = 150O C

76.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

399

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

41.8

mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC + EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale al Chip

0.18

r ilJC

Giunti -To -Caso (per IGBT )

Giunti -To -Caso (per Diodo )

0.072

0.095

C/W

r thCH

Caso -To -Dissipatore di Calore (per IGBT )

Caso -To -Dissipatore di Calore (per Diodo )

Cassa-sink (per modulo)

0.018

0.023

0.010

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vite La M6 Montaggio Coppia , Vite m 6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Peso di Modulo

300

g

Outline

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