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Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

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GD400SGY120C2S,Modulo IGBT,STARPOWER

Modulo IGBT, 1200V 450A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD400SGY120C2S
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 400A.

Caratteristiche

  • Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
  • capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Tipico Applicazioni

  • Invertitori per motori
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Collettore Corrente @ T C = 25 o C

@ T C = 100o C

630

400

A

Io CM

Pulsato Collettore Corrente t p =1 mS

800

A

P P

Massimo Potenza Dissipazione @ T j = 175 o C

2083

W

Diodo

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di corrente continua in avanti

400

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

800

A

Modulo

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Massima Temperatura di Giunzione ature

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 to +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 to +125

o C

V ISO

Isolamento Tensione RMS ,f=50 HZ ,t=1 min

4000

V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (seduto )

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 400A, V GE = 15V, T j = 25 o C

1.70

2.15

V

Io C = 400A, V GE = 15V, T j = 125 o C

1.95

Io C = 400A, V GE = 15V, T j = 150 o C

2.00

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 10.0mA ,V CE = V GE ,T j = 25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Io CES

Interruzione del Collettore

Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V,

T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

1.9

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE =25V,f=1 MHz ,

V GE =0V

41.4

nF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.16

nF

Q G

Importo della porta

V GE - Sì. 15V... +15V

3.11

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V, Io C = 400A, R G = 2,0Ω,

V GE =± 15V, T j = 25 o C

257

nS

t r

Tempo di risalita

96

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

628

nS

t f

Tempo di caduta

103

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

23.5

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

34.0

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V, Io C = 400A, R G = 2,0Ω,

V GE =± 15V, T j = 125o C

268

nS

t r

Tempo di risalita

107

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

659

nS

t f

Tempo di caduta

144

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

35.3

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

51.5

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V, Io C = 400A, R G = 2,0Ω,

V GE =± 15V, T j = 150o C

278

nS

t r

Tempo di risalita

118

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

680

nS

t f

Tempo di caduta

155

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

38.5

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

56.7

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T j = 150 o C ,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 400A, V GE =0V, T j = 25 o C

1.80

2.25

V

Io F = 400A, V GE =0V, T j = 125o C

1.85

Io F = 400A, V GE =0V, T j = 150o C

1.85

Q r

Importo recuperato

V R = 600V, Io F = 400A,

-di /dt =5000A/μs, V GE - Sì. 15V T j = 25 o C

38.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

285

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

19

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V, Io F = 400A,

-di /dt =5000A/μs, V GE - Sì. 15V T j = 125o C

66.5

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

380

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

36.6

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V, Io F = 400A,

-di /dt =5000A/μs, V GE - Sì. 15V T j = 150o C

76.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

399

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

41.8

mJ

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC + EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale al Chip

0.18

R ilJC

Giunti -to -Caso (per IGBT )

Giunti -to -Caso (per Diodo )

0.072

0.095

C/W

R thCH

Caso -to -Dissipatore di Calore (per IGBT )

Caso -to -Dissipatore di Calore (per Diodo )

Cassa-sink (per modulo)

0.018

0.023

0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Montaggio Coppia , Vite M 6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g

Outline

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