GD400SGU120C2S,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

VCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

VGES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Ic

Corrente Collettore @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

A

MIC

Corrente Collettore Impulsata tp=1ms

800

A

PD

Massima dissipazione di potenza @ T =150oC

2659

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

VRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

IF

Diodo di corrente continua in avanti

400

A

IFM

Corrente Massima in Avanti del Diodo tp=1ms

800

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

Tjmax

Temperatura massima di giunzione

150

oC

- Non lo so.

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +125

oC

TSTG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

oC

VISO

Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 400 A,V GE = 15V, T j = 25 o C

2.90

3.35

V

Io C = 400 A,V GE = 15V, T j = 125 o C

3.60

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 16,0 mA,V CE =V GE , T j = 25 o C

4.5

5.5

6.5

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.6

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

26.0

nF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.70

nF

Q G

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

4.2

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, R G = 2,2Ω,

V GE =± 15V, T j = 25 o C

76

nS

t r

Tempo di risalita

57

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

529

nS

t f

Tempo di caduta

73

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

5.2

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

23.2

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, R G = 2,2Ω,

V GE =± 15V, T j = 125o C

81

nS

t r

Tempo di risalita

62

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

567

nS

t f

Tempo di caduta

81

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

9.9

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

31.7

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

T j = 125 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

2800

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.96

2.31

V

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 125o C

1.98

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 400A,

- di/dt=6000A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 25 o C

24.9

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

317

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

16.0

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 400A,

- di/dt=6000A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 125o C

35.5

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

391

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

21.4

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Resistenza di Contatto del Modulo nce, Terminale a Chip

0.18

mΩ

R ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.047

0.100

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Caso-a-Radiatore (pe r Diode)

Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.015

0.031

0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g