Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

VCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

VGES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Ic

Corrente Collettore @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

A

MIC

Corrente Collettore Impulsata tp=1ms

800

A

PD

Massima dissipazione di potenza @ T =150oC

2659

W

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

VRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

IF

Diodo di corrente continua in avanti

400

A

IFM

Corrente Massima in Avanti del Diodo tp=1ms

800

A

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

Tjmax

Temperatura massima di giunzione

150

oC

- Non lo so.

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +125

oC

TSTG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

oC

VISO

Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 25 O C

2.90

3.35

V

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 125 O C

3.60

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 16,0 mA,V CE =V GE , T j = 25 O C

4.5

5.5

6.5

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

400

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.6

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

26.0

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.70

NF

Q g

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

4.2

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, r g = 2,2Ω,

V GE =± 15V, t j = 25 O C

76

NS

t r

Tempo di risalita

57

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

529

NS

t F

Tempo di caduta

73

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

5.2

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

23.2

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, r g = 2,2Ω,

V GE =± 15V, t j = 125O C

81

NS

t r

Tempo di risalita

62

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

567

NS

t F

Tempo di caduta

81

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

9.9

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

31.7

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

t j = 125 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

2800

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.96

2.31

V

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 125O C

1.98

Q r

Importo recuperato

V r = 600V,I F = 400A,

- di/dt=6000A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 25 O C

24.9

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

317

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

16.0

mJ

Q r

Importo recuperato

V r = 600V,I F = 400A,

- di/dt=6000A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 125O C

35.5

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

391

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

21.4

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC+EE

Resistenza di Contatto del Modulo nce, Terminale a Chip

0.18

mΩ

r ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.047

0.100

C/W

r thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Caso-a-Radiatore (pe r Diode)

Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.015

0.031

0.010

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Peso di Modulo

300

g