1200V 400A
Breve introduzione
modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 400A.
Caratteristiche
Tipico Applicazioni
Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
IGBT
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
V CES | Tensione tra collettore ed emittente | 1200 | V |
V GES | Tensione del portatore-emittente | ±20 | V |
Io C | Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C =90 O C | 595 400 | A |
Io CM | Corrente Collettore a Impulso t P = 1 millisecondo | 800 | A |
P D | Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C | 1875 | W |
Diodo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
V RRM | Tensione inversa di picco ripetitiva | 1200 | V |
Io F | Diodo di continua curvatura anteriore affitto | 400 | A |
Io FM | Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms | 800 | A |
Modulo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
t jmax | Temperatura massima di giunzione | 175 | O C |
t - Giappone | Temperatura di funzionamento della giunzione | -40 a +150 | O C |
t STG | Temperatura di conservazione Autonomia | -40 a +125 | O C |
V ISO | tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min | 4000 | V |
IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
V CE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | Io C = 400 A,V GE = 15 V, t j = 25 O C |
| 1.75 | 2.20 |
V |
Io C = 400 A,V GE = 15 V, t j = 125 O C |
| 2.00 |
| |||
Io C = 400 A,V GE = 15 V, t j = 150 O C |
| 2.05 |
| |||
V GE (th ) | Limita di emissione della porta Tensione | Io C = 10.0mA,V CE =V GE , T j = 25 O C | 5.2 | 6.0 | 6.8 | V |
Io CES | Collettore Taglio -OFF corrente | V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C |
|
| 5.0 | mA |
Io GES | Perforazione del portello corrente | V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C |
|
| 400 | NA |
r Gint | Resistenza al cancello interno atteggiamento |
|
| 0.5 |
| Ω |
C ies | Capacità di ingresso | V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V |
| 37.3 |
| NF |
C res | Trasferimento inverso Capacità |
| 1.04 |
| NF | |
Q g | Importo della porta | V GE - Sì. 15…+15V |
| 2.80 |
| μC |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 400A, r g = 2,0Ω, V GE =± 15V, t j = 25 O C |
| 205 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 77 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 597 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 98 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 18.8 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 32.3 |
| mJ | |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 400A, r g = 2,0Ω, V GE =± 15V, t j = 125O C |
| 214 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 86 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 626 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 137 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 28.4 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 48.9 |
| mJ | |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 400A, r g = 2,0Ω, V GE =± 15V, t j = 150O C |
| 198 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 94 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 646 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 147 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 30.8 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 53.8 |
| mJ | |
Io SC |
Dati SC | t P ≤ 10 μs,V GE = 15 V, t j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V |
|
1440 |
|
A |
Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
V F | Diodo di avanzamento Tensione | Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 25 O C |
| 1.75 | 2.15 |
V |
Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 125O C |
| 1.65 |
| |||
Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 150O C |
| 1.65 |
| |||
Q r | Importo recuperato | V r = 600V,I F = 400A, -di/dt=5000A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 25 O C |
| 40 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 299 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 20.0 |
| mJ | |
Q r | Importo recuperato | V r = 600V,I F = 400A, -di/dt=5000A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 125O C |
| 70 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 399 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 38.4 |
| mJ | |
Q r | Importo recuperato | V r = 600V,I F = 400A, -di/dt=5000A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 150O C |
| 80 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 419 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 43.9 |
| mJ |
Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Min. | Tipo. | Max. | unità |
L CE | Induttanza di deflusso |
| 15 |
| nH |
r CC+EE | Resistenza di Contatto del Modulo nce, Terminale a Chip |
| 0.25 |
| mΩ |
r ilJC | Connessione con il caso (per IGB) T) Giunzione-a-Cassa (per Di odo) |
|
| 0.080 0.095 | C/W |
r thCH | Cassa-sink (per IGBT) Cassa-sink (p) diodo) Cassa-sink (per Modulo) |
| 0.037 0.044 0.010 |
| C/W |
m | Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6 | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | N.M |
g | Peso di Modulo |
| 300 |
| g |
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