GD400HFU120C2S,Modulo IGBT,STARPOWER

Breve introduzione

Modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 400A.

Caratteristiche

Applicazioni tipiche

Assoluto Massimo Classificazioni T C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Descrizione	GD400HFU120C2S	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	± 20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25℃ @ T C = 80 ℃	660 400	A
Io CM (1)	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	800	A
Io F	Diodo di corrente continua in avanti	400	A
Io FM (1)	Diodo Cur massima in avanti affitto	800	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 150℃	2660	W
T SC	Cortocircuito resistenza al tempo @ T j = 125 ℃	10	μs
T j	Temperatura massima di giunzione	150	℃
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	℃
V ISO	Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min	2500	V
Torsione di montaggio	Filtro di alimentazione:M6	2,5 a 5.0	N.M
Torsione di montaggio	Montaggio Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati	3,0 a 6.0	N.M

Elettrico Caratteristiche di IGBT T C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Non caratteristiche

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V (BR )CES	Collettore-emittente Tensione di Rottura	T j = 25 ℃	1200			V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 ℃			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 ℃			400	nA

Sulle caratteristiche

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C = 4,0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 ℃	4.4	4.9	6.0	V
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C = 400 A,V GE = 15V, T j = 25 ℃		3.10	3.60	V
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C = 400 A,V GE = 15V, T j = 125℃		3.45		V

Caratteristiche di cambio

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C = 400A, R G =2.2Ω,V GE = ± 15 V, T j = 25 ℃		680		nS
t r	Tempo di risalita			142		nS
t p (oFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			638		nS
t f	Tempo di caduta			99		nS
E oN	Accendere il comando Perdita			19.0		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			32.5		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C = 400A, R G =2.2Ω,V GE = ± 15 V, T j = 125℃		690		nS
t r	Tempo di risalita			146		nS
t p (oFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			669		nS
t f	Tempo di caduta			108		nS
E oN	Accendere il comando Perdita			26.1		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			36.7		mJ
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 30V, f=1MHz, V GE =0V		33.7		nF
C - Non	Capacità di uscita			2.99		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità			1.21		nF
Io SC	Dati SC	T P ≤ 10 μs,V GE =15 V, T j = 25 ℃ , V CC = 600V, V CEM ≤ 1200V		2600		A
R Gint	Resis interna della porta - Sotto il mio nome.			0.5		ω
L CE	Induttanza di deflusso				18	nH
R CC + EE ’	Modulo di resistenza al piombo c, Terminal a chip	T C = 25 ℃		0.32		m ω

Elettrico Caratteristiche di Diodo T C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova		Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F = 400A	T j = 25 ℃		1.95	2.35	V
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F = 400A	T j = 125℃		1.85		V
Q r	Importo recuperato	Io F = 400A, V R = 600 V, di/dt=-2850A/μs, V GE - Sì. 15V	T j = 25 ℃		24.1		μC
Q r	Importo recuperato		T j = 125℃		44.3		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero		T j = 25 ℃		220		A
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero		T j = 125℃		295		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia		T j = 25 ℃		13.9		mJ
E ricerca	Ritorno al recupero Energia		T j = 125℃		24.8		mJ

Caratteristica termica ics

Il simbolo	Parametro	Tipo.	Max.	Unità
R θ JC	Connessione a caso (per IG) BT)		0.047	C/W
R θ JC	Connessione con il caso (per D) Iodio)		0.096	C/W
R θ CS	La grezza da cassa a pozzo (grezzo conduttivo a (in particolare)	0.035		C/W
G	Peso di Modulo	350		g