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Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

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GD400HFQ120C2SD,Modulo IGBT,STARPOWER

1200V 400A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD400HFQ120C2SD
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 400A.

Caratteristiche

  • Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Tipico Applicazioni

  • Fornitore di alimentazione in modalità di commutazione
  • Calore induttivo
  • Saldatrici elettroniche

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C =100 O C

769

400

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

800

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T Vj =1 75O C

2272

W

Diodo

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo Età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu Renta

400

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

800

A

Modulo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

O C

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

2500

V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 400 A,V GE = 15V, t Vj = 25 O C

1.85

2.30

V

Io C = 400 A,V GE = 15V, t Vj = 125 O C

2.25

Io C = 400 A,V GE = 15V, t Vj = 150 O C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =16.00 mA ,V CE = V GE ,t Vj = 25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t Vj = 25 O C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj = 25 O C

400

NA

r Gint

Resistenza interna della porta

0.5

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

43.2

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.18

NF

Q g

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

3.36

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, r g =2Ω, L s =45 nH ,

V GE =± 15V, t Vj = 25 O C

288

NS

t r

Tempo di risalita

72

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

314

NS

t F

Tempo di caduta

55

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

43.6

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

12.4

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, r g =2Ω, L s =45 nH ,

V GE =± 15V, t Vj = 125 O C

291

NS

t r

Tempo di risalita

76

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

351

NS

t F

Tempo di caduta

88

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

57.6

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

17.1

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, r g =2Ω, L s =45 nH ,

V GE =± 15V, t Vj = 150 O C

293

NS

t r

Tempo di risalita

78

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

365

NS

t F

Tempo di caduta

92

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

62.8

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

18.6

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

t Vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1500

A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 400 A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.85

2.30

V

Io F = 400 A,V GE =0V,T Vj = 125 O C

1.90

Io F = 400 A,V GE =0V,T Vj = 150 O C

1.95

Q r

Ricostruito

carica

V r = 600V,I F = 400A,

-di/dt=4130A/μs,V GE - Sì. 15 V, L s =45 nH ,t Vj = 25 O C

38.8

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

252

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

11.2

mJ

Q r

Ricostruito

carica

V r = 600V,I F = 400A,

-di /dt =3860A/μs, V GE - Sì. 15 V, L s =45 nH ,t Vj = 125 O C

61.9

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

255

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

18.7

mJ

Q r

Ricostruito

carica

V r = 600V,I F = 400A,

-di /dt =3720A/μs, V GE - Sì. 15 V, L s =45 nH ,t Vj = 150 O C

75.9

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

257

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

20.5

mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.35

r ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.066

0.115

C/W

r thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Caso-a-Radiatore (pe r Diode)

Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.031

0.055

0.010

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Peso di Modulo

300

g

Outline

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