GD400HFQ120C2SD,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C

@ T C =100 o C

769

400

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

800

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T vj =1 75o C

2272

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 400 A,V GE = 15V, T vj = 25 o C

1.85

2.30

V

Io C = 400 A,V GE = 15V, T vj = 125 o C

2.25

Io C = 400 A,V GE = 15V, T vj = 150 o C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =16.00 mA ,V CE = V GE ,T vj = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

T vj = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza interna della porta

0.5

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

43.2

nF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.18

nF

Q G

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

3.36

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, R G =2Ω, L S =45 nH ,

V GE =± 15V, T vj = 25 o C

288

nS

t r

Tempo di risalita

72

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

314

nS

t f

Tempo di caduta

55

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

43.6

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

12.4

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, R G =2Ω, L S =45 nH ,

V GE =± 15V, T vj = 125 o C

291

nS

t r

Tempo di risalita

76

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

351

nS

t f

Tempo di caduta

88

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

57.6

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

17.1

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, R G =2Ω, L S =45 nH ,

V GE =± 15V, T vj = 150 o C

293

nS

t r

Tempo di risalita

78

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

365

nS

t f

Tempo di caduta

92

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

62.8

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

18.6

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

T vj = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1500

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 400 A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

Io F = 400 A,V GE =0V,T vj = 125 o C

1.90

Io F = 400 A,V GE =0V,T vj = 150 o C

1.95

Q r

Ricostruito

Carica

V R = 600V,I F = 400A,

-di/dt=4130A/μs,V GE - Sì. 15 V, L S =45 nH ,T vj = 25 o C

38.8

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

252

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

11.2

mJ

Q r

Ricostruito

Carica

V R = 600V,I F = 400A,

-di /dt =3860A/μs, V GE - Sì. 15 V, L S =45 nH ,T vj = 125 o C

61.9

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

255

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

18.7

mJ

Q r

Ricostruito

Carica

V R = 600V,I F = 400A,

-di /dt =3720A/μs, V GE - Sì. 15 V, L S =45 nH ,T vj = 150 o C

75.9

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

257

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

20.5

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.35

mΩ

R ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.066

0.115

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Caso-a-Radiatore (pe r Diode)

Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.031

0.055

0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g