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Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

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GD400HFF120C2S,Modulo IGBT,STARPOWER

1200V 400A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD400HFF120C2S
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 400A.

Caratteristiche

  • Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Basse perdite di cambio
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Tipico Applicazioni

  • Fornitore di alimentazione in modalità di commutazione
  • Calore induttivo
  • Saldatrici elettroniche

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C =90 O C

620

400

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

800

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T = 175 O C

2272

W

Diodo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

400

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

800

A

Modulo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

O C

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 25 O C

1.90

2.35

V

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 125O C

2.40

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.55

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 10.0mA,V CE =V GE , T j = 25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

100

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.9

Ω

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, r g =0.38Ω,

V GE =± 15V, t j = 25 O C

1496

NS

t r

Tempo di risalita

200

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

1304

NS

t F

Tempo di caduta

816

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

27.6

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

20.8

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, r g =0.38Ω,

V GE =± 15V, t j = 125O C

1676

NS

t r

Tempo di risalita

252

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

1532

NS

t F

Tempo di caduta

872

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

41.6

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

23.6

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, r g =0.38Ω,

V GE =± 15V, t j = 150O C

1676

NS

t r

Tempo di risalita

260

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

1552

NS

t F

Tempo di caduta

888

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

46.0

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

24.0

mJ

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.90

2.35

V

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 150O C

1.90

Q r

Importo recuperato

V r = 600V,I F = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 25 O C

20.4

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

180

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

6.8

mJ

Q r

Importo recuperato

V r = 600V,I F = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 125O C

52.4

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

264

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

19.5

mJ

Q r

Importo recuperato

V r = 600V,I F = 400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 150O C

60.8

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

284

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

22.6

mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

15

nH

r CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.25

r ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Connessione con il caso (per D) iodio)

0.066

0.093

C/W

r thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.034

0.048

0.010

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Peso di Modulo

300

g

Outline

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