1200V 400A
Breve introduzione
modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 400A.
Caratteristiche
Tipico Applicazioni
Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
IGBT
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
V CES | Tensione tra collettore ed emittente | 1200 | V |
V GES | Tensione del portatore-emittente | ±20 | V |
Io C | Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C =90 O C | 620 400 | A |
Io CM | Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms | 800 | A |
P D | Dissipation di potenza massima @ T = 175 O C | 2272 | W |
Diodo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
V RRM | Tensione inversa di picco ripetitiva | 1200 | V |
Io F | Diodo di continua curvatura anteriore affitto | 400 | A |
Io FM | Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms | 800 | A |
Modulo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
t jmax | Temperatura massima di giunzione | 175 | O C |
t - Giappone | Temperatura di funzionamento della giunzione | -40 a +150 | O C |
t STG | Temperatura di conservazione Autonomia | -40 a +125 | O C |
V ISO | tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min | 4000 | V |
IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
V CE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 25 O C |
| 1.90 | 2.35 |
V |
Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 125O C |
| 2.40 |
| |||
Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 150 O C |
| 2.55 |
| |||
V GE (th ) | Limita di emissione della porta Tensione | Io C = 10.0mA,V CE =V GE , T j = 25 O C | 5.2 | 6.0 | 6.8 | V |
Io CES | Collettore Taglio -OFF corrente | V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C |
|
| 1.0 | mA |
Io GES | Perforazione del portello corrente | V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C |
|
| 100 | NA |
r Gint | Resistenza al cancello interno atteggiamento |
|
| 1.9 |
| Ω |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 400A, r g =0.38Ω, V GE =± 15V, t j = 25 O C |
| 1496 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 200 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 1304 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 816 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 27.6 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 20.8 |
| mJ | |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 400A, r g =0.38Ω, V GE =± 15V, t j = 125O C |
| 1676 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 252 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 1532 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 872 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 41.6 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 23.6 |
| mJ | |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 400A, r g =0.38Ω, V GE =± 15V, t j = 150O C |
| 1676 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 260 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 1552 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 888 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 46.0 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 24.0 |
| mJ |
Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
V F | Diodo di avanzamento Tensione | Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 25 O C |
| 1.90 | 2.35 |
V |
Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 125O C |
| 1.90 |
| |||
Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 150O C |
| 1.90 |
| |||
Q r | Importo recuperato | V r = 600V,I F = 400A, -di/dt=6400A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 25 O C |
| 20.4 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 180 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 6.8 |
| mJ | |
Q r | Importo recuperato | V r = 600V,I F = 400A, -di/dt=6400A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 125O C |
| 52.4 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 264 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 19.5 |
| mJ | |
Q r | Importo recuperato | V r = 600V,I F = 400A, -di/dt=6400A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 150O C |
| 60.8 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 284 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 22.6 |
| mJ |
Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Min. | Tipo. | Max. | unità |
L CE | Induttanza di deflusso |
| 15 |
| nH |
r CC+EE | Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip |
| 0.25 |
| mΩ |
r ilJC | Connessione con il caso (per IGB) T) Connessione con il caso (per D) iodio) |
|
| 0.066 0.093 | C/W |
r thCH | Cassa-sink (per IGBT) Cassa-sink (p) diodo) Caso-a-Radiatore (per M odulo) |
| 0.034 0.048 0.010 |
| C/W |
m | Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6 | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | N.M |
g | Peso di Modulo |
| 300 |
| g |
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