GD400CLU120C2S,Modulo IGBT,Chopper in un pacchetto,STARPOWER

Breve introduzione

Modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 400A.

Caratteristiche

Tipico Applicazioni

Assoluto Massimo Classificazioni T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C = 60 o C	505 400	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	800	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 150 o C	2358	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V RRM	Tensione inversa di picco ripetitiva	1200	V
Io F	Diodo di continua curvatura anteriore affitto	400	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	800	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T jmax	Temperatura massima di giunzione	150	o C
T - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +125	o C
T STG	Temperatura di conservazione Autonomia	-40 a +125	o C
V ISO	Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C = 400 A,V GE = 15V, T j = 25 o C		2.90	3.35	V
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C = 400 A,V GE = 15V, T j = 125 o C		3.60		V
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C = 4,0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C	5.0	5.8	6.6	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			0.5		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		26.2		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		1.68		nF
Q G	Importo della porta	V GE - Sì. 15…+15V		4.18		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C = 400A, R G =2.4Ω, V GE =± 15V, T j = 25 o C		337		nS
t r	Tempo di risalita			88		nS
t p (oFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			460		nS
t f	Tempo di caduta			116		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			21.2		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			19.4		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C = 400A, R G =2.4Ω, V GE =± 15V, T j = 125o C		359		nS
t r	Tempo di risalita			90		nS
t p (oFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			492		nS
t f	Tempo di caduta			128		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			29.4		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			26.0		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤ 10 μs,V GE = 15V, T j = 125 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		2400		A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 25 o C		2.00	2.45	V
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 125o C		2.10		V
Q r	Importo recuperato	V CC = 600V,I F = 400A, - di/dt=2840A/μs,V GE =± 15V, T j = 25 o C		27.0		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			280		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			16.6		mJ
Q r	Importo recuperato	V CC = 600V,I F = 400A, - di/dt=2840A/μs,V GE =± 15V, T j = 125o C		46.0		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			380		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			30.0		mJ

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
R ilJC	Connessione con il caso (per IGB) T) Connessione con il caso (per D) iodio)			0.053 0.103	C/W
R thCH	Cassa-sink (per IGBT) Cassa-sink (p) diodo) Cassa-sink (per Modulo)		0.048 0.094 0.032		C/W
M	Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Peso di Modulo		350		g