Tutte le Categorie

Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

Pagina principale /  Prodotti  /  modulo IGBT  /  Modulo IGBT 1200V

GD300SGY120C2S, Modulo IGBT, STARPOWER

1200V 300A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD300SGY120C2S
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 600A.

Caratteristica

  • Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Tipico Applicazioni

  • Invertitori per motori
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C =100 O C

480

300

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

600

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C

1613

W

Diodo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

300

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

600

A

Modulo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

O C

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

VCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

IC=300A, VGE=15V, Tj=25oC

1.70

2.15

V

IC=300A, VGE=15V, Tj=125oC

1.95

IC=300A, VGE=15V, Tj=150oC

2.00

VGE (th)

Tensione di soglia del portale-emittente

IC=7,50mA, VCE=VGE, Tj=25oC

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Interruzione del Collettore

corrente

VCE=VCES, VGE=0V,

Tj=25oC

1.0

mA

IGES

Corrente di perdita del portatore-emettitore

VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25oC

400

NA

RGint

Resistenza interna della porta

2.5

Ω

- Cies

Capacità di ingresso

VCE=25V, f=1MHz,

VGE=0V

31.1

NF

Cres

Trasferimento inverso

Capacità

0.87

NF

CdG

Importo della porta

VGE=- 15…+15V

2.33

μC

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

VCC=600V,IC=300A, RG= 1,3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC

182

NS

tr

Tempo di risalita

54

NS

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

464

NS

TF

Tempo di caduta

72

NS

EON

Accendere il comando

Perdita

10.6

mJ

EOFF

Sconto di accensione

Perdita

25.8

mJ

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

VCC=600V,IC=300A, RG= 1,3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC

193

NS

tr

Tempo di risalita

54

NS

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

577

NS

TF

Tempo di caduta

113

NS

EON

Accendere il comando

Perdita

16.8

mJ

EOFF

Sconto di accensione

Perdita

38.6

mJ

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

VCC=600V,IC=300A, RG= 1,3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC

203

NS

tr

Tempo di risalita

54

NS

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

618

NS

TF

Tempo di caduta

124

NS

EON

Accendere il comando

Perdita

18.5

mJ

EOFF

Sconto di accensione

Perdita

43.3

mJ

Isc

Dati SC

tP≤10μs,VGE=15V,

Tj=150oC,VCC=900V,VCEM≤1200V

1200

A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

VF

Diodo di avanzamento

Tensione

IF=300A,VGE=0V,Tj=25oC

1.65

2.10

V

IF=300A,VGE=0V,Tj= 125oC

1.65

Se = 300A, VGE = 0V,Tj = 150oC

1.65

Qr

Importo recuperato

VCC=600V,IF=300A,

- di/dt=6050A/μs, VGE=- 15V, Tj=25oC

29

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

318

A

Erec

Energia di recupero inverso

18.1

mJ

Qr

Importo recuperato

VCC=600V,IF=300A,

- di/dt=6050A/μs, VGE=- 15V, Tj= 125oC

55

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

371

A

Erec

Energia di recupero inverso

28.0

mJ

Qr

Importo recuperato

VCC=600V,IF=300A,

- di/dt=6050A/μs, VGE=- 15V, Tj= 150oC

64

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

390

A

Erec

Energia di recupero inverso

32.8

mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

LCE

Induttanza di deflusso

20

nH

RCC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.35

RthJC

Fabbricazione di dispositivi di controllo della velocità

Connessione con cassa (per diodo)

0.093

0.155

C/W

RthCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (per diodo)

Cassa-sink (per modulo)

0.016

0.027

0.010

C/W

m

Torsione di connessione terminale, vite M6 Torsione di montaggio, vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Peso del modulo

300

g

Outline

image(6b521639e0).png

Richiedi un preventivo gratuito

Il nostro rappresentante ti contatterà presto.
Email
Nome
Nome dell'azienda
Messaggio
0/1000

PRODOTTO CORRELATO

Hai domande su qualche prodotto?

Il nostro team di vendita professionale è in attesa della tua consulenza.
Puoi seguire la lista dei loro prodotti e fare qualsiasi domanda ti interessi.

Richiedi un preventivo

Richiedi un preventivo gratuito

Il nostro rappresentante ti contatterà presto.
Email
Nome
Nome dell'azienda
Messaggio
0/1000