YT3000SW45,Modulo IGBT ,con FWD, Pacchetto StakPak ,YT

Parametro

Il simbolo

Condizioni

Valore

Unità

Tensione tra collettore ed emittente

V CES

V GE =0V, T vj = 25 ° C

4500

V

Collettore di corrente continua Cu renta

Io C

T C =100 ° C,T vj = 125 ° C

2000

A

Corrente di picco del collettore

Io CM

t p =1 ms

4000

A

Porta -Emittente Tensione

V GES

± 20

V

Totale Potenza Dissipazione

P - Non

T C = 25 ° C,T vj = 125 ° C

20800

W

CC In avanti Cu renta

Io F

2000

A

Pico Cur in avanti affitto

Io MF

t p =1 ms

4000

A

Corrente di sovratensione

Io FSM

V R =0V,T vj = 125 ° C,

t p = 10ms, mezza onda sinusoidale

14000

A

SOA di cortocircuito IGBT

t psc

V CC = 3400V, V CEM Chip ≤ 4500 V V GE ≤ 15V,T vj ≤ 125 ° C

10

μs

Connessione massima Temperatura

T vj (max )

125

℃

Giunti Temperatura di funzionamento

T vj (op )

-40~125

℃

Temperatura della cassa

T C

-40~125

℃

Temperatura di conservazione

T sTG

-40~70

℃

Forza di montaggio

F M

60~75

kN

Parametro

Il simbolo

Condizioni

Valore

Unità

Min.

Tipo.

Max.

Tensione di rottura collettore-emettitore

V ((BR) CES

VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25°C

4500

V

Tensione di saturazione del collettore-emettitore

VCE (sat)

IC=2000A, VGE=15V

Tvj=25°C

2.70

3.05

V

Tvj=125°C

3.35

3.85

V

Corrente di taglio collettore-emittente

ICES

VCE=4500V, VGE=0V

Tvj=25°C

1

mA

Tvj=125°C

15

100

mA

Corrente di perdita del portatore-emettitore

IGES

VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125°C

-500

500

nA

Tensione di soglia del portale-emittente

VGE (th)

IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25°C

6.7

7.7

V

Importo della porta

CdG

IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V

10

μC

Capacità di ingresso

- Cies

VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25°C

213

nF

Capacità di uscita

Coes

15.3

nF

Capacità di trasferimento inverso

Cres

4.7

nF

Resistenza interna della porta

RGint

0

ω

Tempo di ritardo di accensione

td (in)

IC=2000A,

VCE=2800V,

VGE=± 15V,

RGon=1,8Ω,

RGoff=8,2Ω,

Cge=330nF,

LS=140nH,

Carico induttivo

Tvj=25°C

1100

nS

Tvj=125°C

900

nS

Tempo di risalita

tr

Tvj=25°C

400

nS

Tvj=125°C

450

nS

Tempo di ritardo di spegnimento

td (off)

Tvj=25°C

3800

nS

Tvj=125°C

4100

nS

Tempo di caduta

tF

Tvj=25°C

1200

nS

Tvj=125°C

1400

nS

Accensione di energia di commutazione

EON

Tvj=25°C

14240

mJ

Tvj=125°C

15730

mJ

Disattivazione Energia di commutazione

EOFF

Tvj=25°C

6960

mJ

Tvj=125°C

8180

mJ

Corrente di cortocircuito

Isc

VGE≤15V, tpsc≤10μs, VCC=3400V, Tvj=125°C

VCEM CHIP≤4500V

8400

A

Parametro

Il simbolo

Condizioni

Valore

Unità

Min.

Tipo.

Max.

Voltaggio di avanzamento

VF

IF=2000A

Tvj=25°C

2.60

V

Tvj=125°C

2.85

V

Corrente di recupero inversa

- Non lo so.

IF=2000A, VR=2800V, VGE=15V, RGon=1.8Ω, LS=140nH,

Carico induttivo

Tvj=25°C

1620

A

Tvj=125°C

1970

A

Importo di recupero inverso

Qrr

Tvj=25°C

1750

uC

Tvj=125°C

2700

uC

Tempo di recupero inverso

trr

Tvj=25°C

4.0

uS

Tvj=125°C

5.1

uS

Perdite di energia da recupero inverso

Erec

Tvj=25°C

2350

mJ

Tvj=125°C

3860

mJ