IDG75X12T2, IGBT discreto, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C =100 O C

150

75

A

Io CM

Pulsato Collettore corrente t P limitata Di t vjmax

225

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T Vj = 175 O C

852

W

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo Età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu Renta

75

A

Io FM

Pulsato Collettore corrente t P limitata Di t vjmax

225

A

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

t vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +175

O C

t STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-55 a +150

O C

t s

Temperatura di Saldatura,1.6mm f rom case for 10s

260

O C

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =75A,V GE = 15V, t Vj = 25 O C

1.75

2.20

V

Io C =75A,V GE = 15V, t Vj = 150 O C

2.10

Io C =75A,V GE = 15V, t Vj = 175 O C

2.20

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =3.00 mA ,V CE = V GE , t Vj = 25 O C

5.0

5.8

6.5

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj = 25 O C

250

μA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj = 25 O C

100

NA

R Gint

Resistenza interna della porta

2.0

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

6.58

NF

C - Non

Capacità di uscita

0.40

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.19

NF

Q g

Importo della porta

V GE =-15...+15V

0.49

μC

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =75A, R g =4.7Ω,

V GE =± 15V, Ls=40nH,

t Vj = 25 O C

41

NS

t R

Tempo di risalita

135

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

87

NS

t F

Tempo di caduta

255

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

12.5

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

3.6

mJ

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =75A, R g =4.7Ω,

V GE =± 15V, Ls=40nH,

t Vj = 150 O C

46

NS

t R

Tempo di risalita

140

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

164

NS

t F

Tempo di caduta

354

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

17.6

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

6.3

mJ

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =75A, R g =4.7Ω,

V GE =± 15V, Ls=40nH,

t Vj = 175 O C

46

NS

t R

Tempo di risalita

140

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

167

NS

t F

Tempo di caduta

372

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

18.7

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

6.7

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

t Vj = 175 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

300

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =75A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.75

2.20

V

Io F =75A,V GE =0V,T Vj =15 0O C

1.75

Io F =75A,V GE =0V,T Vj =17 5O C

1.75

trr

Diodo inverso Tempo di Recupero

V R = 600V,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

t Vj = 25 O C

267

NS

Q R

Importo recuperato

4.2

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

22

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

1.1

mJ

trr

Diodo inverso Tempo di Recupero

V R = 600V,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

t Vj = 150 O C

432

NS

Q R

Importo recuperato

9.80

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

33

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

2.7

mJ

trr

Diodo inverso Tempo di Recupero

V R = 600V,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

t Vj = 175 O C

466

NS

Q R

Importo recuperato

11.2

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

35

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

3.1

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

R ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T) Connessione con il caso (per D) iodio)

0.176 0.371

C/W

R thJA

Giunzione-a-ambiente

40

C/W