H76ZYG, Diodo a Recupero Morbido

Io _T(AV)

2200A

V _RRM

4000V 4200V

di potenza superiore a 50 kVA

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj( ℃ )

valore

unità

min

TIPO

max

IF(AV)

Corrente media diretta

180° onda sinusoidale metà 50Hz raffreddato su entrambi i lati,

Zinc=55 ℃

125

2200

A

IRRM

Corrente di picco ripetitiva

a VRRM

125

240

mA

IFSM

Corrente di picco in avanti

10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM

125

23

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

2645

A2s* 103

VFO

Voltaggio di soglia

125

1.65

V

rF

Resistenza di pendenza in avanti

0.26

mΩ

VFM

Tensione di picco in avanti

@IFM=3000A,

F=40kN

25

2.80

V

@IFM=5000A

125

2.98

VFRM

Tensione di recupero massima in avanti

di/dt= 1000A/μs

125

80

V

25

40

V

IRM

Corrente di recupero inversa

IFM=2000A,tp=4000μs, -di/dt=60A/μs, VR=50V

125

400

A

trr

Tempo di recupero inverso

8.0

μs

Qrr

tassa di recupero

2000

μC

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 1800 seno, raffreddato su entrambi i lati Forza di bloccaggio 40kN

0.010

° /W

Rth(c-h)

Resistenza termica dal case al dissipatore di calore

0.003

FM

Forza di montaggio

35

47

kN

- Non lo so.

Intervallo di temperatura di funzionamento

-40

125

℃

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

150

℃

Wt

Peso

1460

g

Outline

ZT73dT