Diodo a recupero rapido

I_T(AV)

700a

v_RRM

4000V- Non lo so.4200V

di potenza superiore a 50 kVA

Il simbolo

caratteristica

Condizioni di prova

Tj(°C)

valore

unità

Min

tipo

- Max

IF(AV)

Corrente media diretta

180°mezza onda sinusoidale 50Hz Raffreddato su entrambi i lati

TC=70°C

125

700

a)

VRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

tp=10ms

125

4000

4500

v

IRRM

Corrente di picco ripetitiva

a VRRM

125

100

- Mamma!

IFSM

Corrente di picco in avanti

10ms onda sinusoidale mezza VR=0

125

16

ca

I2t

I2t per coordinazione fusibile

1280

10³a)²s

VFO

Voltaggio di soglia

125

1.70

v

rf

Resistenza di pendenza in avanti

0.98

mΩ

VFM

Tensione di picco in avanti

IFM=2000A, F=24kN

25

3.80

v

IRM

Corrente di recupero inversa

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-60A/µs, VR=100V

125

610

a)

trr

Tempo di recupero inverso

7.0

μs

Qrr

tassa di recupero

1500

μC

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 180°sinusoidale, raffreddato a doppio lato Forza di serraggio 24kN

0.020

°C /W

Rth(c-h)

Resistenza termica case a dissipatore

0.005

Fm

Forza di montaggio

19

26

kn

Tvj

temperatura di giunzione

-40

125

°C

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

140

°C

wt

peso

440

g

scheda

ZT50cT