H50KPU, Tiristore di Controllo di Fase

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj(℃ )

valore

unità

min

TIPO

max

IT(AV)

Corrente media in stato di accensione

180° mezza onda sinusoidale 50Hz

Raffreddato su entrambi i lati, TC=70 。C

125

600

A

VDRM VRRM

Tensione di picco ripetitiva in stato di off Tensione di picco inversa ripetitiva

tp=10ms

125

7300

8500

V

Idrm Irrm

Corrente di picco ripetitiva

@ VDRM @ VRRM

125

200

mA

ITSM

Corrente di sovratensione in stato di accensione

10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM

125

9.8

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

480

A2s*103

VTO

Voltaggio di soglia

125

1.04

V

rT

Resistenza di pendenza in stato di accensione

2.33

mΩ

VTM

Tensione di picco in stato di accensione

ITM=1000A, F=24kN

25

2.95

V

dv/dt

Tasso critico di aumento della tensione in stato di off

VDM=0.67VDRM

125

2000

V/μs

di/dt

Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento

VDM= 67%VDRM a 2000A,

Impulso di gate tr ≤0.5μs IGM ＝ 2.0A

125

100

A/μs

Qrr

tassa di recupero

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

2500

μC

IGT

Corrente di attivazione del gate

VA=12V, IA=1A

25

40

300

mA

Vgt

Tensione di attivazione del gate

0.8

3.0

V

IH

Corrente di mantenimento

25

200

mA

IL

Corrente di aggancio

500

mA

VGD

Tensione di gate non attivata

VDM=0.67VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 1800 seno, raffreddato su entrambi i lati Forza di bloccaggio 24.0kN

0.022

。C /W

Rth(c-h)

Resistenza termica case a dissipatore

0.005

。C /W

FM

Forza di montaggio

19

24

26

kN

Tvj

temperatura di giunzione

-40

125

℃

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

140

℃

Wt

Peso

560

g

Outline

KT50dT