Numero di parte H125KPU-KT110dT
IT(AV) | 2800a) |
VDRM, VRRM | 8000V 8500V |
caratteristiche- Non è vero.
applicazioni tipiche- Non è vero.
Il simbolo |
caratteristica |
Condizioni di prova | Tj(。C) | valore |
unità | |||
Min | tipo | - Max | ||||||
IT(AV) | Corrente media in stato di accensione | 180。mezza onda sinusoidale 50Hz Raffreddato su entrambi i lati |
TC=55。c |
90 |
|
|
2800 |
a) |
IDRM IRRM | Picco ripetitivo corrente | a VDRM- Non lo so.tp= 10 millisecondi a VRRM- Non lo so.tp= 10 millisecondi | 90 |
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| 700 | - Mamma! | |
ITSM | Corrente di sovratensione in stato di accensione | 10 millisecondi onda sinusoidale mezzaVR=0.6VRRM |
90 |
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| 40 | ca | |
I2t | I2t per coordinazione fusibile |
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| 8000 | 103a)2s | |||
VTO | Voltaggio di soglia |
|
90 |
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| 0.92 | v | |
rt | Resistenza di pendenza in stato di accensione |
|
| 0.32 | mΩ | |||
VTM | Tensione di picco in stato di accensione | ITM=3000A, F= 120kN | 25 |
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| 1.95 | v | |
dv/dt | Tasso critico di aumento of stato off tensione | VDM=0.67VDRM | 90 |
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| 2000 | V/μs | |
di/dt | Tasso critico di salitae di stato di accensione corrente | VDM=67%VDRM, Impulso di gate tr ≤0.5μs- Non lo so.IGM= 1.5a | 90 |
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| 100 | A/μs | |
Qrr | tassa di recupero | ITM=2000A, tp=4000μs,di/dt=-5A/μs,VR=50V | 90 |
| 6500 |
| μC | |
IGT | Corrente di attivazione del gate |
VA= 12V, IA= 1a |
25 | 40 |
| 300 | - Mamma! | |
Vgt | Tensione di attivazione del gate | 0.8 |
| 3.0 | v | |||
Ih | Corrente di mantenimento | 25 |
| 200 | - Mamma! | |||
VGD | Tensione di gate non attivata | VDM=67%VDRM | 90 |
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| 0.3 | v | |
Rth(j-c) | Resistenza termica Giunzione a case | Raffreddato su entrambi i lati Forza di bloccaggio 120kN |
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| 0.004 |
。c /W | |
Rth(c-h) | Resistenza termica caso a Dissipatore di Calore |
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| 0.001 |
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