Brochure del prodotto:SCARICA
IT(AV) |
2800A |
VDRM, VRRM |
8000V 8500V |
Caratteristiche :
Applicazioni tipiche :
Il simbolo |
Caratteristica |
Condizioni di prova |
Tj(℃ ) |
valore |
unità |
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min |
TIPO |
max |
||||||
IT(AV) |
Corrente media in stato di accensione |
180。mezza onda sinusoidale 50Hz Raffreddato su entrambi i lati |
TC=55 。C |
90 |
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|
2800 |
A |
IDRM IRRM |
Picco ripetitivo corrente |
a VDRM tp= 10ms a VRRM tp= 10ms |
90 |
|
|
700 |
mA |
|
ITSM |
Corrente di sovratensione in stato di accensione |
10ms onda sinusoidale mezza VR=0,6VRRM |
90 |
|
|
40 |
kA |
|
Io 2t |
Io 2t per coordinazione fusibile |
|
|
8000 |
103A 2s |
|||
VTO |
Voltaggio di soglia |
|
90 |
|
|
0.92 |
V |
|
rT |
Resistenza di pendenza in stato di accensione |
|
|
0.32 |
mΩ |
|||
VTM |
Tensione di picco in stato di accensione |
ITM=3000A, F= 120kN |
25 |
|
|
1.95 |
V |
|
dv/dt |
Tasso critico di aumento O f stato off Tensione |
VDM=0.67VDRM |
90 |
|
|
2000 |
V/μs |
|
di/dt |
Tasso critico di salita e di stato di accensione corrente |
VDM=67%VDRM, Impulso di gate tr ≤0.5μs IGM= 1.5A |
90 |
|
|
100 |
A/μs |
|
Qrr |
tassa di recupero |
ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V |
90 |
|
6500 |
|
μC |
|
IGT |
Corrente di attivazione del gate |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
40 |
|
300 |
mA |
|
Vgt |
Tensione di attivazione del gate |
0.8 |
|
3.0 |
V |
|||
Io H |
Corrente di mantenimento |
25 |
|
200 |
mA |
|||
VGD |
Tensione di gate non attivata |
VDM=67%VDRM |
90 |
|
|
0.3 |
V |
|
Rth(j-c) |
Resistenza termica Giunzione a case |
Raffreddato su entrambi i lati Forza di bloccaggio 120kN |
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0.004 |
。C /W |
|
Rth(c-h) |
Resistenza termica caso a Dissipatore di Calore |
|
|
|
0.001 |
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