GD950HTX75P6HBT

Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 950V 750A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Basse perdite di cambio
Capacità di cortocircuito di 6 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Baseplate in rame isolato con pinfin utilizzando Si ₃n ₄Tecnologia AMB

Applicazioni tipiche

Applicazione automobilistica
Veicolo ibrido ed elettrico
Invertitori per motori

Assoluto Massimo Classificazioni t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valori	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	750	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io CN	Collettore Cu implementato Renta	950	A
Io C	Corrente del collettore @ T F =110 O C	450	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	1900	A
P P	Massima dissipazione di potenza ation @ t F =75 O C t j = 175 O C	1162	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valori	unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo Età	750	V
Io FN	Collettore Cu implementato Renta	950	A
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu Renta	450	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	1900	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t jmax	Temperatura massima di giunzione	175	O C
t - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione continua Per 10 secondi all'interno di un periodo di 30 secondi, occorrenza massimo 3000 volte durante la durata della vita	-40 a +150 +150 a +175	O C
t STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	O C
V ISO	tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C = 450 A,V GE = 15V, t j = 25 O C		1.25	1.50	V
		Io C = 450 A,V GE = 15V, t j = 150 O C		1.35
		Io C = 450 A,V GE = 15V, t j = 175 O C		1.40
		Io C =950A,V GE = 15V, t j = 25 O C		1.60
		Io C =950A,V GE = 15V, t j = 175 O C		2.05
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =9.60 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C	5.0	5.7	7.0	V
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =9.60 mA ,V CE = V GE , t j = 175 O C		3.5		V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C			400	NA
R Gint	Resistenza interna della porta			0.7		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V		42.1		NF
C - Non	Capacità di uscita			1.80		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità			1.18		NF
Q g	Importo della porta	V CE =400V,I C =450A, V GE =-8... +15V		3.01		μC
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =400V,I C = 450A, R g =2.4Ω, L s = 24 nH V GE =-8V/+15V, t j = 25 O C		126		NS
t R	Tempo di risalita			62		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			639		NS
t F	Tempo di caduta			149		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			17.3		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			25.4		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =400V,I C = 450A, R g =2.4Ω, L s = 24 nH V GE =-8V/+15V, t j = 150 O C		136		NS
t R	Tempo di risalita			68		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			715		NS
t F	Tempo di caduta			221		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			22.5		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			31.0		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =400V,I C = 450A, R g =2.4Ω, L s = 24 nH V GE =-8V/+15V, t j = 175 O C		138		NS
t R	Tempo di risalita			68		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			739		NS
t F	Tempo di caduta			227		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			24.8		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			32.6		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤6μs, V GE = 15V,		5100		A
		t j = 25 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V
		t P ≤3μs, V GE = 15V, t j = 175 O C,V CC =400V, V CEM ≤750V		3800

Diodo Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F = 450 A,V GE =0V,T j = 25 O C		1.40	1.65	V
		Io F = 450 A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.35
		Io F = 450 A,V GE =0V,T j =1 75O C		1.30
		Io F =950A,V GE =0V,T j = 25 O C		1.75
		Io F =950A,V GE =0V,T j =1 75O C		1.75
Q R	Importo recuperato	V R =400V,I F = 450A, -di/dt=7070A/μs,V GE =-8V L s = 24 nH ,t j = 25 O C		16.0		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			254		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			5.03		mJ
Q R	Importo recuperato	V R =400V,I F = 450A, -di/dt=6150A/μs,V GE =-8V L s = 24 nH ,t j = 150 O C		36.0		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			320		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			9.49		mJ
Q R	Importo recuperato	V R =400V,I F = 450A, -di/dt=6010A/μs,V GE =-8V L s = 24 nH ,t j = 175 O C		40.5		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			338		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			10.5		mJ

NTC Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Deviazione di R 100	t C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modulo Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
L CE	Induttanza di deflusso		8		nH
R CC+EE	Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip		0.75		mΩ
P	Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo t Piastra di base < 40 O C t Piastra di base > 40 O C (pressione relativa)			2.5 2.0	bar
R thJF	Giunti -To -Raffreddamento Fluid (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 O C		0.075 0.118	0.086 0.136	C/W
m	Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
g	Peso di Modulo		750		g