GD900SGF120A3SN,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C =100 O C

1466

900

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

1800

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T Vj = 175 O C

5.34

kw

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo Età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu Renta

900

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

1800

A

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

O C

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C = 900 A, V GE = 15V, t Vj = 25 O C

2.00

2.45

V

Io C = 900 A, V GE = 15V, t Vj = 125 O C

2.50

Io C = 900 A, V GE = 15V, t Vj = 150 O C

2.65

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =32.0 mA ,V CE = V GE , t Vj = 25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj = 25 O C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj = 25 O C

400

NA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.44

Ω

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, t Vj = 25 O C

520

NS

t R

Tempo di risalita

127

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

493

NS

t F

Tempo di caduta

72

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

76.0

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

85.0

mJ

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, t Vj = 125 O C

580

NS

t R

Tempo di risalita

168

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

644

NS

t F

Tempo di caduta

89

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

127

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

98.5

mJ

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 900A, R Gon =1Ω, R Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, t Vj = 150 O C

629

NS

t R

Tempo di risalita

176

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

676

NS

t F

Tempo di caduta

96

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

134

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

99.0

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F = 900 A, V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.95

2.40

V

Io F = 900 A, V GE =0V,T Vj = 125 O C

2.00

Io F = 900 A, V GE =0V,T Vj = 150 O C

2.05

Q R

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 900A,

-di/dt=7100A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

t Vj = 25 O C

80

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

486

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

35.0

mJ

Q R

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 900A,

-di/dt=5180A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

t Vj = 125 O C

153

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

510

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

64.0

mJ

Q R

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 900A,

-di/dt=4990A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

t Vj = 150 O C

158

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

513

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

74.0

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

12

nH

R CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.19

mΩ

R ilJC

Giunti -To -caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

28.1 44.1

K/kW

R thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Cassa-sink (per Modulo)

9.82 15.4 6.0

K/kW

m

Torsione di connessione terminale, Vite M4 Torsione di connessione terminale, Vite M8 Torsione di montaggio Vite M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

g

Peso di Modulo

1050

g