GD820HFA75N6HY

Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 820V 750A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Basse perdite di cambio
Capacità di cortocircuito di 6 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Baseplate di rame isolata con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Applicazione automobilistica
Veicolo ibrido ed elettrico
Invertitori per motori

Assoluto Massimo Classificazioni t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valori	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	750	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io CN	Collettore Cu implementato Renta	820	A
Io C	Corrente del collettore @ T F = 95 O C T Vj = 175 O C	450	A
Io CRM	Ripetitiva Pico Collettore corrente tp limitata Di t vjop	1640	A
P P	Massima dissipazione di potenza ation @ t F =65 O C t Vj = 175 O C	909	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valori	unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo Età	750	V
Io FN	Collettore Cu implementato Renta	820	A
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu Renta	450	A
Io MF	Ripetitiva Pico In avanti corrente tp limitata Di t vjop	1640	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t vjmax	Temperatura massima di giunzione	175	O C
t vjop	Temperatura di funzionamento della giunzione continua	-40 a +150	O C
t STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	O C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V
P Creep	Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale	7.3 7.3	mm
P chiaro	Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale	7.3 4.0	mm

IGBT Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =680A,V GE = 15V, t Vj = 25 O C		1.25	1.50	V
		Io C =680A,V GE = 15V, t Vj = 150 O C		1.35
		Io C =680A,V GE = 15V, t Vj = 175 O C		1.40
		Io C =820A,V GE = 15V, t Vj = 25 O C		1.30
		Io C =820A,V GE = 15V, t Vj = 175 O C		1.50
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =12.9 mA ,V CE = V GE , t Vj = 25 O C	5.5	6.5	7.0	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj = 25 O C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj = 25 O C			400	NA
R Gint	Resistenza interna della porta			1.0		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V		72.3		NF
C - Non	Capacità di uscita			1.51		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità			0.32		NF
Q g	Importo della porta	V CE =400V, Io C =680A, V GE =-10…+15V		4.10		μC
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =400V,I C = 450A, R g =2.4Ω, L s =20 nH ,V GE =-8V/+15V, t Vj = 25 O C		483		NS
t R	Tempo di risalita			60		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			664		NS
t F	Tempo di caduta			67		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			16.3		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			17.4		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =400V,I C = 450A, R g =2.4Ω, L s =20 nH ,V GE =-8V/+15V, t Vj = 150 O C		507		NS
t R	Tempo di risalita			76		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			750		NS
t F	Tempo di caduta			125		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			26.3		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			22.1		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =400V,I C = 450A, R g =2.4Ω, L s =20 nH ,V GE =-8V/+15V, t Vj = 175 O C		509		NS
t R	Tempo di risalita			79		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			764		NS
t F	Tempo di caduta			139		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			27.6		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			23.0		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤3μs, V GE = 15V, t j = 175 O C,V CC =450V, V CEM ≤750V		3300		A

Diodo Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =680A,V GE =0V,T Vj =2 5O C		1.60	2.05	V
		Io F =680A,V GE =0V,T Vj = 150 O C		1.60
		Io F =680A,V GE =0V,T Vj = 175 O C		1.55
		Io F =820A,V GE =0V,T Vj =2 5O C		1.70
		Io F =820A,V GE =0V,T Vj = 175 O C		1.65
Q R	Importo recuperato	V R =400V,I F = 450A, -di/dt=8350A/μs,L s =20n H, V GE = 8V, t Vj = 25 O C		12.4		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			273		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			3.45		mJ
Q R	Importo recuperato	V R =400V,I F = 450A, -di/dt=6670A/μs,L s =20n H, V GE = 8V, t Vj = 150 O C		27.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			319		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			6.51		mJ
Q R	Importo recuperato	V R =400V,I F = 450A, -di/dt=6410A/μs,L s =20n H, V GE = 8V, t Vj = 175 O C		31.8		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			334		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			7.26		mJ

PTC Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
R	Nominale resistenza	t C =0 O C t C = 150 O C		1000 1573		Ω Ω
t cr	Coefficiente di Temperatura nt			0.38		%/K
t s	Auto Riscaldamento	t C =0 O C Io m =0.1...0.3mA		0.4		K/mW

Modulo Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
L CE	Induttanza di deflusso		5		nH
P	Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo			2.5	bar
R thJF	Giunti -To -Raffreddamento Fluid (perIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per Di odo) △ V/ △ t=2.67 L/ min ,t F =65 O C		0.105 0.157	0.121 0.181	C/W
m	Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vattone M5	3.6 5.4		4.4 6.6	N.M
g	Peso di Modulo		220		g