Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C =100 O C

800

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

1600

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T Vj = 175 O C

4687

W

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo Età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu Renta

900

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

1800

A

Io FSM

Corrente di Surge in Avanti t P =10ms @ T Vj = 12 5O C @ T Vj = 175 O C

2392

2448

A

Io 2t

Io 2t- valore ,t P =10 MS @ t Vj = 125 O C @ T Vj = 175 O C

28608

29964

A 2s

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t vjmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t vjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

O C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C = 800 A, V GE = 15V, t Vj = 25 O C

1.40

1.85

V

Io C = 800 A, V GE = 15V, t Vj = 125 O C

1.60

Io C = 800 A, V GE = 15V, t Vj = 175 O C

1.60

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t Vj = 25 O C

5.5

6.3

7.0

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj = 25 O C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj = 25 O C

400

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.5

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

28.4

NF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.15

NF

Q g

Importo della porta

V GE =-15...+15V

2.05

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 800A, r g =0.5Ω, L s = 40nH, V GE =-8V/+15V,

t Vj = 25 O C

168

NS

t r

Tempo di risalita

78

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

428

NS

t F

Tempo di caduta

123

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

43.4

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

77.0

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 800A,

r g =0.5Ω, L s = 40nH,

V GE =-8V/+15V,

t Vj = 125 O C

172

NS

t r

Tempo di risalita

84

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

502

NS

t F

Tempo di caduta

206

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

86.3

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

99.1

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 800A,

r g =0.5Ω, L s = 40nH,

V GE =-8V/+15V,

t Vj = 175 O C

174

NS

t r

Tempo di risalita

90

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

531

NS

t F

Tempo di caduta

257

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

99.8

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

105

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤8μs, V GE = 15V,

t Vj = 150 O C,

V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

t P ≤6μs, V GE = 15V,

t Vj = 175 O C,

V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2500

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F = 900 A, V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.60

2.00

V

Io F = 900 A, V GE =0V,T Vj = 125 O C

1.60

Io F = 900 A, V GE =0V,T Vj = 175 O C

1.50

Q r

Importo recuperato

V r = 600V,I F = 800A,

-di/dt=7778A/μs,V GE = 8V, L s = 40 nH ,t Vj = 25 O C

47.7

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

400

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

13.6

mJ

Q r

Importo recuperato

V r = 600V,I F = 800A,

-di/dt=7017A/μs,V GE = 8V, L s = 40 nH ,t Vj = 125 O C

82.7

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

401

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

26.5

mJ

Q r

Importo recuperato

V r = 600V,I F = 800A,

-di/dt=6380A/μs,V GE = 8V, L s = 40 nH ,t Vj = 175 O C

110

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

413

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

34.8

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

r 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di r 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

r 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

Valore B

r 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

Valore B

r 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k