GD800HFA120C2S_B20 ,Modulo IGBT,STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 800A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175oC
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente Tensione transitorio del portatore-emettitore	±20 ±30	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C = 95 O C	1280 800	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	1600	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T Vj = 175 O C	3191	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo Età	1200	V
Io F	Corrente continua in avanti del diodo ent	800	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	1600	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t vjmax	Temperatura massima di giunzione	175	O C
t vjop	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +175	O C
t STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	O C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C = 800 A, V GE = 15V, t Vj = 25 O C		1.30	1.75	V
		Io C = 800 A, V GE = 15V, t Vj = 125 O C		1.45
		Io C = 800 A, V GE = 15V, t Vj = 150 O C		1.50
		Io C = 800 A, V GE = 15V, t Vj = 175 O C		1.55
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =32.0 mA ,V CE = V GE , t Vj = 25 O C	5.5	6.1	7.0	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj = 25 O C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj = 25 O C			400	NA
R Gint	Resistenza interna della porta			0.38		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		156		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		1.10		NF
Q g	Importo della porta	V GE =-8... +15V		10.3		μC
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C = 800A, R g =1.2Ω, V GE =-8V/+15V, t Vj = 25 O C		338		NS
t R	Tempo di risalita			174		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			1020		NS
t F	Tempo di caduta			100		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			65.2		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			88.8		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C = 800A, R g =1.2Ω, V GE =-8V/+15V, t Vj = 125 O C		398		NS
t R	Tempo di risalita			203		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			1140		NS
t F	Tempo di caduta			183		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			96.6		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			109		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C = 800A, R g =1.2Ω, V GE =-8V/+15V, t Vj = 150 O C		413		NS
t R	Tempo di risalita			213		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			1140		NS
t F	Tempo di caduta			195		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			105		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			113		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C = 800A, R g =1.2Ω, V GE =-8V/+15V, t Vj = 175 O C		419		NS
t R	Tempo di risalita			223		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			1142		NS
t F	Tempo di caduta			205		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			110		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			115		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita
Io SC	Dati SC	t P ≤8μs, V GE = 15V, t Vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		3300		A
Io SC	Dati SC	t P ≤6μs, V GE = 15V, t Vj = 175 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		3000		A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F = 800 A, V GE =0V,T Vj =2 5O C		1.85	2.30	V
		Io F = 800 A, V GE =0V,T Vj = 125 O C		1.85
		Io F = 800 A, V GE =0V,T Vj = 150 O C		1.85
		Io F = 800 A, V GE =0V,T Vj = 175 O C		1.85
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F = 800A, -di/dt=5510A/μs,V GE = 8V, t Vj = 25 O C		28.6		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			311		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			13.9		mJ
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F = 800A, -di/dt=4990A/μs,V GE = 8V, t Vj = 125 O C		56.8		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			378		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			23.7		mJ
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F = 800A, -di/dt=4860A/μs,V GE = 8V, t Vj = 150 O C		66.3		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			395		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			26.7		mJ
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F = 800A, -di/dt=4790A/μs,V GE = 8V, t Vj = 175 O C		72.1		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			403		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			28.6		mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
L CE	Induttanza di deflusso		20		nH
R CC+EE	Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip		0.42		mΩ
R ilJC	Giunti -To -caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)			0.047 0.083	C/W
R thCH	Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)		0.031 0.055 0.010		C/W
m	Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	Peso di Modulo		320		g