GD75HFX170C1S, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C =100 O C

136

75

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

150

A

P P

Massimo Potenza dissipazione @ t Vj = 175 O C

539

W

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo Età

1700

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu Renta

75

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

150

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =75A,V GE = 15V, t Vj = 25 O C

1.85

2.20

V

Io C =75A,V GE = 15V, t Vj = 125 O C

2.25

Io C =75A,V GE = 15V, t Vj = 150 O C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =3.0 mA ,V CE = V GE , t Vj = 25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj = 25 O C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj = 25 O C

400

NA

R Gint

Resistenza interna della porta

8.5

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

9.03

NF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.22

NF

Q g

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =75A, R g =6,8Ω,V GE =± 15V, LS = 60 nH ,t Vj = 25 O C

237

NS

t R

Tempo di risalita

59

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

314

NS

t F

Tempo di caduta

361

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

25.0

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

9.5

mJ

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =75A, R g =6,8Ω,V GE =± 15V, LS = 60 nH ,t Vj = 125 O C

254

NS

t R

Tempo di risalita

70

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

383

NS

t F

Tempo di caduta

524

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

33.3

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

15.1

mJ

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =75A, R g =6,8Ω,V GE =± 15V, LS = 60 nH ,t Vj = 150 O C

257

NS

t R

Tempo di risalita

75

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

396

NS

t F

Tempo di caduta

588

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

36.9

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

16.6

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

t Vj = 150 O C ,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

300

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =75A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.80

2.25

V

Io F =75A,V GE =0V,T Vj = 12 5O C

1.90

Io F =75A,V GE =0V,T Vj =15 0O C

1.95

Q R

Importo recuperato

V R =900V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs,V GE = 15V LS = 60 nH ,t Vj = 25 O C

16.4

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

58

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

7.2

mJ

Q R

Importo recuperato

V R =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE = 15V LS = 60 nH ,t Vj = 125 O C

30.8

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

64

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

15.8

mJ

Q R

Importo recuperato

V R =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE = 15V LS = 60 nH ,t Vj = 150 O C

31.4

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

64

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

18.2

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

30

nH

R CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.65

mΩ

R ilJC

Giunti -To -caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.278 0.467

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Caso-a-Radiatore (per M odulo)

0.160 0.268 0.050

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Peso di Modulo

150

g