GD750HFA120C6S,Modulo IGBT,STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 800A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Veicolo ibrido ed elettrico
Invertitori per motori
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valori	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C =100 O C	750	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	1500	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T Vj = 175 O C	3125	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valori	unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo Età	1200	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu Renta	900	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	1500	A
Io FSM	Corrente di Surge in Avanti t P =10ms @ T Vj = 25O C @ T Vj = 150 O C	3104 2472	A
Io 2t	Io 2t- valore ,t P =10 MS @ t Vj = 25 O C @ T Vj = 150 O C	48174 30554	A 2s

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t vjmax	Temperatura massima di giunzione	175	O C
t vjop	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	O C
t STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	O C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =750A,V GE = 15V, t Vj = 25 O C		1.35	1.85	V
		Io C =750A,V GE = 15V, t Vj = 125 O C		1.55
		Io C =750A,V GE = 15V, t Vj = 175 O C		1.55
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t Vj = 25 O C	5.5	6.3	7.0	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj = 25 O C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj = 25 O C			400	NA
R Gint	Resistenza interna della porta			0.5		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		85.2		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		0.45		NF
Q g	Importo della porta	V GE =-15...+15V		6.15		μC
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =750A, R g =0.5Ω, V GE =-8V/+15V, L s = 40 nH ,t Vj = 25 O C		238		NS
t R	Tempo di risalita			76		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			622		NS
t F	Tempo di caduta			74		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			68.0		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			52.8		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =750A, R g =0.5Ω, V GE =-8V/+15V, L s = 40 nH ,t Vj = 125 O C		266		NS
t R	Tempo di risalita			89		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			685		NS
t F	Tempo di caduta			139		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			88.9		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			67.4		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =750A, R g =0.5Ω, V GE =-8V/+15V, L s = 40 nH ,t Vj = 175 O C		280		NS
t R	Tempo di risalita			95		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			715		NS
t F	Tempo di caduta			166		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			102		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			72.7		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤8μs, V GE = 15V, t Vj = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		2500		A
Io SC	Dati SC	t P ≤6μs, V GE = 15V, t Vj = 175 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		2400		A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =750A,V GE =0V,T Vj =2 5O C		1.60	2.05	V
		Io F =750A,V GE =0V,T Vj = 125 O C		1.65
		Io F =750A,V GE =0V,T Vj = 175 O C		1.65
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F =750A, - di/dt=6500A/μs,V GE = 8V, L s = 40 nH ,t Vj = 25 O C		79.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			369		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			23.3		mJ
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F =750A, -di/dt=5600A/μs,V GE = 8V, L s = 40 nH ,t Vj = 125 O C		120		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			400		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			39.5		mJ
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F =750A, - di/dt=5200A/μs,V GE = 8V, L s = 40 nH ,t Vj = 175 O C		151		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			423		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			49.7		mJ

NTC Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Deviazione di R 100	t C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
L CE	Induttanza di deflusso		20		nH
R CC+EE	Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip		0.80		mΩ
R ilJC	Giunti -To -caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio)			0.048 0.088	C/W
R thCH	caso -To -Dissipatore di Calore (perIGBT )Cassa-sink (p) diodo) Cassa-sink (per Modulo)		0.028 0.051 0.009		C/W
m	Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
g	Peso di Modulo		350		g