GD600HFX170C6S,Modulo IGBT,STARPOWER

Modulo IGBT 1700V

GD600HFX170C6S,Modulo IGBT,STARPOWER

Modulo IGBT，1700V 600A

Brand:

Strumento di controllo

Spu:

GD600HFX170C6S

Introduzione
Outline

Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1700V 600A.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175oC
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Tipico Applicazioni

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1700	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Collettore corrente @ t C = 25 O C @ t C = 100O C	1069 600	A
Io CM	Pulsato Collettore corrente t P =1 MS	1200	A
P D	Massimo Potenza dissipazione @ t j = 175 O C	4166	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Tensione inversa di picco ripetitiva	1700	V
Io F	Diodo di corrente continua in avanti	600	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	1200	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t jmax	Massima Temperatura di Giunzione ature	175	O C
t - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 To +150	O C
t STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 To +125	O C
V ISO	Isolamento Tensione RMS ,f=50 HZ ,t=1 min	4000	V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (seduto )	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =600A, V GE = 15V, t j = 25 O C		1.85	2.20	V
		Io C =600A, V GE = 15V, t j = 125 O C		2.25
		Io C =600A, V GE = 15V, t j = 150 O C		2.35
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C = 12.0mA ,V CE = V GE ,t j = 25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Interruzione del Collettore corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C			400	NA
r Gint	Resistenza interna della porta			1.1		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE =25V,f=1 MHz , V GE =0V		72.3		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE =25V,f=1 MHz , V GE =0V		1.75		NF
Q g	Importo della porta	V GE - Sì. 15…+15V		5.66		μC
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 900V, Io C =600A, r g = 1.0Ω, V GE =± 15V, t j = 25 O C		160		NS
t r	Tempo di risalita			67		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			527		NS
t F	Tempo di caduta			138		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			154		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			132		mJ
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 900V, Io C =600A, r g = 1.0Ω, V GE =± 15V, t j = 125O C		168		NS
t r	Tempo di risalita			80		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			585		NS
t F	Tempo di caduta			168		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			236		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			189		mJ
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 900V, Io C =600A, r g = 1.0Ω, V GE =± 15V, t j = 150O C		192		NS
t r	Tempo di risalita			80		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			624		NS
t F	Tempo di caduta			198		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			259		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			195		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, t j = 150 O C ,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V		2400		A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =600A, V GE =0V, t j = 25 O C		1.80	2.25	V
		Io F =600A, V GE =0V, t j = 125O C		1.90
		Io F =600A, V GE =0V, t j = 150O C		1.95
Q r	Importo recuperato	V r = 900V, Io F =600A, -di /dt =6700A/μs, V GE - Sì. 15V t j = 25 O C		153		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			592		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			76.5		mJ
Q r	Importo recuperato	V r = 900V, Io F =600A, -di /dt =6700A/μs, V GE - Sì. 15V t j = 125 O C		275		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			673		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			150		mJ
Q r	Importo recuperato	V r = 900V, Io F =600A, -di /dt =6700A/μs, V GE - Sì. 15V t j = 150 O C		299		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			690		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			173		mJ

NTC Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
r 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
ΔR/R	Deviazione di r 100	t C = 100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza dissipazione				20.0	mW
B 25/50	- B- valore	r 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	- B- valore	r 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	- B- valore	r 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
L CE	Induttanza di deflusso		20		nH
r CC + EE ’	Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale al Chip		1.10		mΩ
r ilJC	Giunti -To -Caso (per IGBT ) Giunti -To -Caso (per Diodo )			0.036 0.073	C/W
r thCH	Caso -To -Dissipatore di Calore (per IGBT ) Caso -To -Dissipatore di Calore (per Diodo ) Cassa-sink (per modulo)		0.027 0.055 0.009		C/W
m	Torsione di connessione terminale, Vite La M6 Montaggio Coppia , Vite m 5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
g	Peso di Modulo		350		g