Modulo IGBT 1700V

GD600HFX170C6S,Modulo IGBT,STARPOWER

Modulo IGBT，1700V 600A

Brand:

Strumento di controllo

Spu:

GD600HFX170C6S

Introduzione
Outline

Introduzione

Breve introduzione

Modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1700V 600A.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175oC
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Tipico Applicazioni

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1700	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Collettore Corrente @ T C = 25 o C @ T C = 100o C	1069 600	A
Io CM	Pulsato Collettore Corrente t p =1 mS	1200	A
P P	Massimo Potenza Dissipazione @ T j = 175 o C	4166	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V RRM	Tensione inversa di picco ripetitiva	1700	V
Io F	Diodo di corrente continua in avanti	600	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	1200	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T jmax	Massima Temperatura di Giunzione ature	175	o C
T - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 to +150	o C
T STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 to +125	o C
V ISO	Isolamento Tensione RMS ,f=50 HZ ,t=1 min	4000	V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (seduto )	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =600A, V GE = 15V, T j = 25 o C		1.85	2.20	V
		Io C =600A, V GE = 15V, T j = 125 o C		2.25
		Io C =600A, V GE = 15V, T j = 150 o C		2.35
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C = 12.0mA ,V CE = V GE ,T j = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Interruzione del Collettore Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza interna della porta			1.1		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE =25V,f=1 MHz , V GE =0V		72.3		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE =25V,f=1 MHz , V GE =0V		1.75		nF
Q G	Importo della porta	V GE - Sì. 15…+15V		5.66		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 900V, Io C =600A, R G = 1.0Ω, V GE =± 15V, T j = 25 o C		160		nS
t r	Tempo di risalita			67		nS
t p (oFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			527		nS
t f	Tempo di caduta			138		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			154		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			132		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 900V, Io C =600A, R G = 1.0Ω, V GE =± 15V, T j = 125o C		168		nS
t r	Tempo di risalita			80		nS
t p (oFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			585		nS
t f	Tempo di caduta			168		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			236		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			189		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 900V, Io C =600A, R G = 1.0Ω, V GE =± 15V, T j = 150o C		192		nS
t r	Tempo di risalita			80		nS
t p (oFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			624		nS
t f	Tempo di caduta			198		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			259		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			195		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, T j = 150 o C ,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V		2400		A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =600A, V GE =0V, T j = 25 o C		1.80	2.25	V
		Io F =600A, V GE =0V, T j = 125o C		1.90
		Io F =600A, V GE =0V, T j = 150o C		1.95
Q r	Importo recuperato	V R = 900V, Io F =600A, -di /dt =6700A/μs, V GE - Sì. 15V T j = 25 o C		153		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			592		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			76.5		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 900V, Io F =600A, -di /dt =6700A/μs, V GE - Sì. 15V T j = 125 o C		275		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			673		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			150		mJ
Q r	Importo recuperato	V R = 900V, Io F =600A, -di /dt =6700A/μs, V GE - Sì. 15V T j = 150 o C		299		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			690		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			173		mJ

NTC Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
δR/R	Deviazione di R 100	T C = 100 o C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza Dissipazione				20.0	mW
B 25/50	- B- valore	R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	- B- valore	R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	- B- valore	R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso		20		nH
R CC + EE ’	Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale al Chip		1.10		mΩ
R ilJC	Giunti -to -Caso (per IGBT ) Giunti -to -Caso (per Diodo )			0.036 0.073	C/W
R thCH	Caso -to -Dissipatore di Calore (per IGBT ) Caso -to -Dissipatore di Calore (per Diodo ) Cassa-sink (per modulo)		0.027 0.055 0.009		C/W
M	Torsione di connessione terminale, Vite M6 Montaggio Coppia , Vite M 5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M
G	Peso di Modulo		350		g