GD600HFX120C6SA, Modulo IGBT, STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C =100 O C

1108

600

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

1200

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C

4054

W

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo Età

1200

V

Io F

Diode Corrente continua in avanti Cu Renta

600

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

1200

A

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

O C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =600A,V GE = 15V, t j = 25 O C

1.70

2.15

V

Io C =600A,V GE = 15V, t j = 125 O C

1.90

Io C =600A,V GE = 15V, t j = 150 O C

1.95

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

400

NA

R Gint

Resistenza interna della porta

0.7

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V

62.1

NF

C res

Trasferimento inverso Capacità

1.74

NF

Q g

Importo della porta

V GE =-15...+15V

4.62

μC

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, R g =1.2Ω, L s = 34 nH , V GE = ± 15V,T j = 25 O C

266

NS

t R

Tempo di risalita

82

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

400

NS

t F

Tempo di caduta

192

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

65.7

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

52.3

mJ

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, R g =1.2Ω, L s = 34 nH , V GE = ± 15V,T j = 125 O C

282

NS

t R

Tempo di risalita

94

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

448

NS

t F

Tempo di caduta

290

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

96.2

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

67.3

mJ

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, R g =1.2Ω, L s = 34 nH , V GE = ± 15V,T j = 150 O C

286

NS

t R

Tempo di risalita

94

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

459

NS

t F

Tempo di caduta

299

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

107

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

70.3

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤10μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =600A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.95

2.40

V

Io F =600A,V GE =0V,T j =1 25O C

2.05

Io F =600A,V GE =0V,T j =1 50O C

2.10

Q R

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

-di/dt=5500A/μs, L s =34nH, V GE =-15V,T j = 25 O C

23.8

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

260

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

11.7

mJ

Q R

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

-di/dt=4700A/μs, L s =34nH, V GE =-15V,T j = 125 O C

65.1

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

293

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

26.4

mJ

Q R

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

-di/dt=4600A/μs, L s =34nH, V GE =-15V,T j = 150 O C

76.7

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

306

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

30.6

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di R 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

Valore B

R 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

Valore B

R 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.80

mΩ

R ilJC

Giunti -To -caso (perIGBT ) Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.037 0.065

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT) Caso-a-Radiatore (pe r Diode) Cassa-sink (per Modulo)

0.028 0.050 0.009

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Peso di Modulo

350

g