Modulo IGBT 1700V

GD50PIX170C6SA, Modulo IGBT, STARPOWER

1700V 50A

Brand:

Strumento di controllo

Spu:

GD50PIX170C6SA

Introduzione
Outline
Schema del circuito equivalente

Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1700V 50A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Invertitori per motori
Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT-inverter

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1700	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C =100 O C	100 50	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	100	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C	384	W

DIOD-inverter

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo Età	1700	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu Renta	50	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	100	A

Diode-rettificatrice

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo Età	1600	V
Io O	Corrente di uscita media 5 0Hz/60Hz, onda sinusoidale	50	A
Io FSM	Corrente di Surrogazione in Avanti V R =0V,T P =10ms,T j =45 O C	850	A
Io 2t	Io 2Valore t,V R =0V,T P =10m s,T j =45 O C	3610	A 2s

IGBT-freno

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1700	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C =100 O C	100 50	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	100	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C	384	W

Diodo -Freno

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo Età	1700	V
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu Renta	50	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	100	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t jmax	Temperatura Massima del Giunzione (inverter, freno) Temperatura massima della giunzione (rettificatore)	175 150	O C
t - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	O C
t STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	O C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT -Inverter Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =50A,V GE = 15V, t j = 25 O C		1.85	2.20	V
		Io C =50A,V GE = 15V, t j = 125 O C		2.25
		Io C =50A,V GE = 15V, t j = 150 O C		2.35
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =2.0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C			400	NA
R Gint	Resis interna della porta - Sotto il mio nome.			9.5		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		6.02		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.15		NF
Q g	Importo della porta	V GE =-15 ...+15V		0.47		μC
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE =± 15V, t j = 25 O C		163		NS
t R	Tempo di risalita			44		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			290		NS
t F	Tempo di caduta			347		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			12.7		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			7.28		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE =± 15V, t j = 125 O C		186		NS
t R	Tempo di risalita			51		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			361		NS
t F	Tempo di caduta			535		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			17.9		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			11.1		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE =± 15V, t j = 150 O C		192		NS
t R	Tempo di risalita			52		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			374		NS
t F	Tempo di caduta			566		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			20.0		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			12.0		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V		200		A

Diodo -Inverter Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =50A,V GE =0V,T j = 25 O C		1.80	2.25	V
		Io F =50A,V GE =0V,T j = 125 O C		1.95
		Io F =50A,V GE =0V,T j = 150 O C		1.90
Q R	Importo recuperato	V R =900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V GE = 15V t j = 25 O C		11.8		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			48		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			6.08		mJ
Q R	Importo recuperato	V R =900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V GE = 15V t j = 125 O C		20.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			52		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			11.4		mJ
Q R	Importo recuperato	V R =900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V GE = 15V t j = 150 O C		23.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			54		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			13.1		mJ

Diodo -raddrizzatore Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =50A, V GE =0V, t j = 150 O C		1.14		V
Io R	Corrente inversa	t j = 150 O C,V R =1600V			3.0	mA

IGBT -Freno Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =50A,V GE = 15V, t j = 25 O C		1.85	2.20	V
		Io C =50A,V GE = 15V, t j = 125 O C		2.25
		Io C =50A,V GE = 15V, t j = 150 O C		2.35
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =2.0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C			400	NA
R Gint	Resistenza interna della porta			9.5		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		6.02		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		0.15		NF
Q g	Importo della porta	V GE =-15 ...+15V		0.47		μC
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE =± 15V, t j = 25 O C		163		NS
t R	Tempo di risalita			44		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			290		NS
t F	Tempo di caduta			347		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			12.7		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			7.28		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE =± 15V, t j = 125 O C		186		NS
t R	Tempo di risalita			51		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			361		NS
t F	Tempo di caduta			535		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			17.9		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			11.1		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =50A, R g =9.6Ω,V GE =± 15V, t j = 150 O C		192		NS
t R	Tempo di risalita			52		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			374		NS
t F	Tempo di caduta			566		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			20.0		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			12.0		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V		200		A

Diodo -Freno Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =50A,V GE =0V,T j = 25 O C		1.80	2.25	V
		Io F =50A,V GE =0V,T j = 125 O C		1.95
		Io F =50A,V GE =0V,T j = 150 O C		1.90
Q R	Importo recuperato	V R =900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V GE = 15V t j = 25 O C		11.8		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			48		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			6.08		mJ
Q R	Importo recuperato	V R =900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V GE = 15V t j = 125 O C		20.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			52		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			11.4		mJ
Q R	Importo recuperato	V R =900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V GE = 15V t j = 150 O C		23.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			54		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			13.1		mJ

NTC Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Deviazione di R 100	t C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
L CE	Induttanza di deflusso		60		nH
R CC+EE R AA + CC ’	Resistenza di Contatto del Modulo nce,Terminal to Chip		4.00 2.00		mΩ
R ilJC	Giunti -To -caso (perIGBT -Inverter ) Giunzione-a-Caratteristica (per invertitore DIODE er) Giunzione-Caso (per Diode-rettificatore ) Giunti -To -caso (perIGBT -Freno ) Giunzione-Caso (per Diode-freno rompere)			0.390 0.554 0.565 0.390 0.554	C/W
R thCH	caso -To -Dissipatore di Calore (perIGBT -Inverter )Caso-Dissipatore di calore (per Diode-inverter) ) Caso-Dissipatore di calore (per Diode-rettificatore) ) caso -To -Dissipatore di Calore (perIGBT -Freno ) Caso-Dissipatore (per Dio de-freno) Cassa-sink (per Modulo)		0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009		C/W
m	Torsione di montaggio Fabbricazione di prodotti di cui al punto 3.4.	3.0		6.0	N.M
g	Peso di Modulo		300		g