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Modulo IGBT 1700V

Modulo IGBT 1700V

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GD400SGX170C2S,Modulo IGBT,STARPOWER

1700V 400A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD400SGX170C2S
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1700V 300A.

Caratteristiche

  • Basso VCE(sat) Trincea IGBT Tecnologia
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) Con positivo Temperatura coefficiente
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Tipico Applicazioni

  • Io inverter per azionamento motore
  • Amplificatore servo-driver a corrente alternata e continua
  • Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C = 100O C

648

400

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

800

A

P D

Dissipazione di Potenza Massima t = 175 O C

2380

W

Diodo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1700

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

400

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

800

A

Modulo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

O C

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 25 O C

1.85

2.20

V

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 125 O C

2.25

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 16,0 mA,V CE =V GE , T j = 25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

400

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.88

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

48.2

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.17

NF

Q g

Importo della porta

V GE - Sì. 15V... +15V

3.77

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 400A, r g =0.82Ω,V GE =± 15V, t j = 25 O C

204

NS

t r

Tempo di risalita

38

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

425

NS

t F

Tempo di caduta

113

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

97.9

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

84.0

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 400A, r g =0.82Ω,V GE =± 15V, t j = 125 O C

208

NS

t r

Tempo di risalita

50

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

528

NS

t F

Tempo di caduta

184

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

141

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

132

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 400A, r g =0.82Ω,V GE =± 15V, t j = 150 O C

216

NS

t r

Tempo di risalita

50

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

544

NS

t F

Tempo di caduta

204

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

161

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

137

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 100V, V CEM ≤1700V

1600

A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.80

2.25

V

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 125 O C

1.90

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 150 O C

1.95

Q r

Importo recuperato

V r =900V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 25 O C

116

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

666

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

63.8

mJ

Q r

Importo recuperato

V r =900V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 125 O C

187

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

662

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

114

mJ

Q r

Importo recuperato

V r =900V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 150 O C

209

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

640

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

132

mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

15

nH

r CC+EE

Resistenza di Contatto del Modulo nce, Terminale a Chip

0.18

r ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.063

0.105

C/W

r thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Cassa-sink (per Modulo)

0.016

0.027

0.010

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vite M4 Connessione Terminale Coppia, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M

g

Peso di Modulo

300

g

Outline

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