GD400HTX120P6HL, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 400A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Basse perdite di cambio
Capacità di cortocircuito di 6 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Baseplate in rame isolato con pinfin utilizzando Si ₃n ₄Tecnologia AMB

Applicazioni tipiche

Applicazione automobilistica
Veicolo ibrido ed elettrico
Invertitori per motori

Assoluto Massimo Classificazioni t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valori	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io CN	Collettore Cu implementato Renta	400	A
Io C	Corrente del collettore @ T F =100 O C	250	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	800	A
P P	Massima dissipazione di potenza ation @ t F =75 O C t j = 175 O C	862	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valori	unità
V RRM	Pico ripetitivo volta inversa GE	1200	V
Io FN	Collettore Cu implementato Renta	400	A
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu Renta	250	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	800	A
Io 2t	Io 2Valore t, t P =10ms @ T j = 125 O C @ T j = 150 O C	17860 15664	A 2s

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t jmax	Temperatura massima di giunzione	175	O C
t - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione continua Per 10s all'interno di un periodo di 30s, occorrenza massimo 3000 volte durante la vita me	-40 a +150 +150 a +175	O C
t STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	O C
V ISO	tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	3000	V

IGBT Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =250A,V GE = 15V, t j = 25 O C		1.45	1.80	V
		Io C =250A,V GE = 15V, t j = 125 O C		1.65
		Io C =250A,V GE = 15V, t j = 150 O C		1.70
		Io C =380A,V GE = 15V, t j = 25 O C		1.70
		Io C =380A,V GE = 15V, t j = 150 O C		2.15
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =9.75 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C			400	NA
R Gint	Resistenza interna della porta			2.4		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V		33.6		NF
C - Non	Capacità di uscita			1.43		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità			0.82		NF
Q g	Importo della porta	V CE = 600V,I C =250A, V GE =-8... +15V		1.98		μC
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C = 250 A, R g = 2,2Ω, L s = 24 nH ,V GE =-8V/+15V, t j = 25 O C		231		NS
t R	Tempo di risalita			50		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			545		NS
t F	Tempo di caduta			172		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			19.6		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			23.2		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C = 250 A, R g = 2,2Ω, L s = 24 nH ,V GE =-8V/+15V, t j = 125 O C		241		NS
t R	Tempo di risalita			57		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			619		NS
t F	Tempo di caduta			247		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			26.6		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			28.7		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C = 250 A, R g = 2,2Ω, L s = 24 nH ,V GE =-8V/+15V, t j = 150 O C		245		NS
t R	Tempo di risalita			57		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			641		NS
t F	Tempo di caduta			269		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			30.1		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			30.9		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤6μs, V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		1200		A

Diodo Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =250A,V GE =0V,T j = 25 O C		1.50	1.90	V
		Io F =250A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.45
		Io F =250A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.40
		Io F =380A,V GE =0V,T j = 25 O C		1.65
		Io F =380A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.60
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F = 250 A, -di/dt=4860A/μs,V GE =-8V L s = 24 nH ,t j = 25 O C		9.10		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			160		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			4.39		mJ
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F = 250 A, - di/dt=4300A/μs,V GE =-8V L s = 24 nH ,t j = 125 O C		21.4		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			192		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			8.43		mJ
Q R	Importo recuperato	V R = 600V,I F = 250 A, -di/dt=4120A/μs,V GE =-8V L s = 24 nH ,t j = 150 O C		25.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			203		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			9.97		mJ

NTC Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Deviazione di R 100	t C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modulo Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
L CE	Induttanza di deflusso		8		nH
R CC+EE	Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip		0.75		mΩ
△ P	△ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 O C		64		mbar
P	Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo			2.5	bar
R thJF	Giunti -To -Raffreddamento Fluid (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio)		0.098 0.128	0.116 0.150	C/W
m	Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
g	Peso di Modulo		750		g