GD400HTX120P4S, Modulo IGBT, STARPOWER

Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT ,prodotto da Strumento di controllo . 1200V 400A. - Sì.

Caratteristiche

Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
Basse perdite di cambio
Capacità di cortocircuito di 10 μs
VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
Temperatura massima di giunzione 175 ℃
Cassa a bassa induttanza
FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
Baseplate di rame isolata con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

Veicolo ibrido ed elettrico
Invertitori per motori
Fonte di alimentazione ininterrotta

Assoluto Massimo Classificazioni t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

Io GBT

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io CN	Collettore Cu implementato Renta	400	A
Io C	Corrente del collettore @ T F = 25 O C @ T F =75 O C	400 300	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	800	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C	1500	W

Diodo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Volt inverso di picco ripetitivo Età	1200	V
Io FN	Implementato Avanzamento Cu Renta	400	A
Io F	Diode Corrente continua in avanti Cu Renta	300	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	800	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t jmax	Temperatura massima di giunzione	175	O C
t - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	O C
t STG	Intervallo di temperatura di conservazione	-40 a +125	O C
V ISO	Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =300A,V GE = 15V, t j = 25 O C		1.50	1.95	V
		Io C =300A,V GE = 15V, t j = 125 O C		1.60
		Io C =300A,V GE = 15V, t j = 150 O C		1.65
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =16.0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C	5.3	5.8	6.3	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C			1.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C			400	NA
R Gint	Resistenza interna della porta			0.5		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		41.4		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		1.16		NF
Q g	Importo della porta	V GE =15V		3.11		μC
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =500V,I C =300A, R g =1.5Ω,V GE =± 15V, t j = 25 O C		171		NS
t R	Tempo di risalita			54		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			433		NS
t F	Tempo di caduta			41		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			18.2		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			13.4		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =500V,I C =300A, R g =1.5Ω,V GE =± 15V, t j = 125 O C		193		NS
t R	Tempo di risalita			54		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			546		NS
t F	Tempo di caduta			93		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			25.7		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			26.8		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =500V,I C =300A, R g =1.5Ω,V GE =± 15V, t j = 150 O C		203		NS
t R	Tempo di risalita			64		NS
t d ((off)	Disattivamento Tempo di ritardo			628		NS
t F	Tempo di caduta			93		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			27.8		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			30.9		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤10μs, V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		1600		A

Diodo Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =300A,V GE =0V,T j = 25 O C		1.55	1.80	V
		Io F =300A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.50
		Io F =300A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.45
Q R	Importo recuperato	V R =500V,I F =300A, -di/dt=3150A/μs,V GE = 15V t j = 25 O C		25.7		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			229		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			6.7		mJ
Q R	Importo recuperato	V R =500V,I F =300A, -di/dt=3150A/μs,V GE = 15V t j = 125 O C		49.0		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			380		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			17.1		mJ
Q R	Importo recuperato	V R =500V,I F =300A, -di/dt=3150A/μs,V GE = 15V t j = 150 O C		57.0		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			380		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			20.0		mJ

NTC Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
∆R/R	Deviazione di R 100	t C =100 O C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modulo Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
△ P	Caduta di Pressione Circuito di Raffreddamento cuo △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ;t F = 25 O C ;Raffreddamento Fluido=50% Acqua/50% Glicole Etilenico		100		mbar
P	Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo			2.5	bar
L CE	Induttanza di deflusso		14		nH
R CC+EE	Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip		0.80		mΩ
R thJF	Giunti -To -Raffreddamento Fluid (perIGBT ) Junction-to-Cooling Fluid (per Di odo)			0.100 0.125	C/W
m	Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6	2.5 3.0		5.0 6.0	N.M
g	Peso di Modulo		1250		g