GD400HFX170C2S,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 o C

@ T C = 100o C

648

400

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

800

A

P P

Dissipazione di Potenza Massima T = 175 o C

2380

W

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1700

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

400

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

800

A

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 400 A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.85

2.20

V

Io C = 400 A,V GE = 15V, T j = 125 o C

2.25

Io C = 400 A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.35

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 16,0 mA,V CE =V GE , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.88

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

48.2

nF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.17

nF

Q G

Importo della porta

V GE - Sì. 15V... +15V

3.77

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 400A, R G =0.82Ω,V GE =± 15V, T j = 25 o C

204

nS

t r

Tempo di risalita

38

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

425

nS

t f

Tempo di caduta

113

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

97.9

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

84.0

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 400A, R G =0.82Ω,V GE =± 15V, T j = 125 o C

208

nS

t r

Tempo di risalita

50

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

528

nS

t f

Tempo di caduta

184

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

141

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

132

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 400A, R G =0.82Ω,V GE =± 15V, T j = 150 o C

216

nS

t r

Tempo di risalita

50

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

544

nS

t f

Tempo di caduta

204

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

161

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

137

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC = 100V, V CEM ≤1700V

1600

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.80

2.25

V

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 125 o C

1.90

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 150 o C

1.95

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 25 o C

116

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

666

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

63.8

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 125 o C

187

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

662

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

114

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F = 400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 150 o C

209

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

640

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

132

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Resistenza di Contatto del Modulo nce, Terminale a Chip

0.35

mΩ

R ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.063

0.105

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Cassa-sink (per Modulo)

0.032

0.053

0.010

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Peso di Modulo

300

g